[发明专利]一种LED芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，在N型半导体层远离衬底的一面沉积绝缘层，且绝缘层围绕量子阱层、P型半导体层以及N电极设置，因此在PN分界处优先覆盖绝缘材料，能够在Mesa刻蚀之后ITO层溅射之前生成绝缘层，减少PN分界处因ITO导电物质产生的微漏电；并且通过设置绝缘层，相较于现有技术能够提高ITO层的面积，增加发光效率并提高芯片亮度，同时在应用端也能充分避免PN分界处的其他导电杂质驻留。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED芯片及其制备方法。

背景技术

发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光。在LED芯片工艺中通常用透明导电层ITO(氧化铟锡)作为电流扩层并提高发光效率。在制作ITO层时通常先用ICP(电感耦合等离子光谱发生仪)刻蚀出Mesa台阶面，露出P型半导体层，然后在上面蒸镀ITO层，并通过光刻出ITO图形，最后通过ITO蚀刻，最终在P型半导体层上形成ITO层。因为ITO的导电性，当部分ITO残留在PN分界处时，将产生漏电，而为了减少漏电需增大腐蚀量来减少ITO的面积，影响了整个发光效率且不能有效的避免漏电的产生。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种LED芯片及其制备方法，能够增加LED芯片的发光效率。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种LED芯片，包括衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、ITO层、绝缘层以及电极；

所述衬底的一面设置有所述N型半导体层，所述N型半导体层远离所述衬底的一面的第一预设区域依次层叠有所述量子阱层、所述P型半导体层；

所述电极包括N电极和P电极，所述P型半导体层上方依次设置有ITO层和P电极；

所述N型半导体层远离所述衬底的一面的第二预设区域设置有所述N电极；

所述N型半导体层远离所述衬底的一面设置有所述绝缘层，且所述绝缘层围绕所述量子阱层和所述P型半导体层以及所述N电极设置。

为了解决上述技术问题，本发明采用的另一种技术方案为：

一种LED芯片制备方法，包括步骤：

在衬底上依次生长N型半导体层、量子阱层和P型半导体层；

刻蚀所述量子阱层和所述P型半导体层，保留第一预设区域的所述量子阱层和所述P型半导体层；

在所述N型半导体层远离所述衬底的一面沉积绝缘层，所述绝缘层围绕所述第一预设区域和第二预设区域设置；

在所述P型半导体层远离所述量子阱层的一面溅射ITO层，并在所述ITO层远离所述P型半导体层的一面蒸镀P电极；

在所述N型半导体层远离所述衬底的一面的第二预设区域蒸镀N电极。

本发明的有益效果在于：在N型半导体层远离衬底的一面沉积绝缘层，且绝缘层围绕量子阱层、P型半导体层以及N电极设置，因此在PN分界处优先覆盖绝缘材料，能够在Mesa刻蚀之后ITO层溅射之前生成绝缘层，减少PN分界处因ITO导电物质产生的微漏电；并且通过设置绝缘层，相较于现有技术能够提高ITO层的面积，增加发光效率并提高芯片亮度，同时在应用端也能充分避免PN分界处的其他导电杂质驻留。

附图说明

图1为本发明实施例的一种LED芯片的示意图；

图2为本发明实施例的一种LED芯片制备方法的流程图；

图3为现有技术中LED芯片制备ITO层时腐蚀前的示意图；

图4为现有技术中LED芯片制备ITO层时腐蚀后的示意图；