[发明专利]一种晶片无片盒清洗方法在审
| 申请号： | 202211018834.6 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115360123A | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 耿彪;耿仕昂 | 申请（专利权）人： | 北京华林嘉业科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B3/04;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591 | 代理人： | 凌云 |
| 地址： | 101118 北京市通州*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶片 无片盒 清洗 方法 | ||
1.一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于包括以下步骤：
将晶片依次进行C/C清洗、第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、QDR清洗、第三次OFR清洗、干燥；
所述晶片使用无片盒清洗设备进行清洗；
所述C/C清洗的清洗液为超纯水；
第一次SC1清洗和第二次SC1清洗的清洗液均为氨水、双氧水和水的混合液；
第一次OFR清洗、第二次OFR清洗和第三次OFR清洗的清洗液均为去离子水；
所述QDR清洗的清洗液为去离子水；
所述SC2清洗的清洗液为盐酸、双氧水和水的混合液。
2.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于：所述C/C清洗的温度为15～25℃，第一次SC1清洗和第二次SC1清洗的温度为80±5℃，第一次OFR清洗、第二次OFR清洗和第三次OFR清洗的的温度为15～25℃，所述QDR清洗的温度为15～25℃，所述SC2清洗的温度为80±5℃。
3.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于：第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、QDR清洗、第三次OFR清洗均采用清洗液循环模式，清洗液循环过程中采用过滤器进行循环过滤，采用在线浓度仪在线监测清洗液的浓度；当清洗液的浓度低于设定值，采用定量泵补充清洗液。
4.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于：所述干燥的温度为30～80℃。
5.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于：第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、第三次OFR清洗均采用兆声清洗。
6.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于：所述兆声清洗的频率为950～1200kHz。
7.根据权利要求6所述的一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于：第一次SC1清洗时，兆声清洗的频率为960kHz；第二次SC1清洗时，兆声清洗的频率为990kHz；第一次OFR清洗时，兆声清洗的频率为1040kHz；第二次OFR清洗时，兆声清洗的频率为1110kHz；SC2清洗时，兆声清洗的频率为1070kHz；第三次OFR清洗时，兆声清洗的频率为1030kHz。
8.根据权利要求1所述的一种晶片无片盒清洗方法，其特征在于：所述无片盒清洗设备包括用来固定晶片的固定槽、用来驱动固定槽进行摇摆动作的摇摆驱动机构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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