[发明专利]一种晶片无片盒清洗方法

说明书

本发明涉及一种晶片无片盒清洗方法，通过将晶片依次进行C/C清洗、第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、QDR清洗、第三次OFR清洗、干燥。本发明主要是通过对SC1清洗、SC2清洗与其余清洗流程搭配组合，清洗流程短，操作简便；本发明能够有效清除8寸及以上尺寸的晶片表面的颗粒，减少表面颗粒、污物以及金属残留物的残留量，大幅提高晶片品质。最终清洗效果能够达到：颗粒指标≥0.16μm10EA，颗粒指标≥0.12μm20EA；清洗后的晶片表面总金属含量≤1E10atomS/cm²，金属包括16类(Na，Al，K，Ca，Ti，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Au，Ag，V，Hg)。

技术领域

本发明涉及一种晶片无片盒清洗方法，属于晶片清洗技术领域。

背景技术

半导体晶片的清洗方法常采用化学方法清洗，化学清洗是指利用各种化学试剂和有机溶剂与吸附在被清洗晶片表面的杂质及油污发生化学反应或溶解作用，使杂质从被清洗晶片的表面脱附，然后用大量高纯热、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。化学清洗可分为湿法化学清洗和干法化学清洗，其中湿法化学清洗在半导体清洗工艺中仍处于主导地位。

湿法化学清洗包括溶液浸泡法

(1)溶液浸泡法。溶液浸泡法是将晶片浸泡在化学溶液中来达到清除表面污染的一种方法。它是湿法化学清洗中最常用的一种方法。选用不同的溶液可以达到清除晶片表面不同类型的污染杂质，如采用有机溶剂去除有机污染物，采用RCA溶液清除有机、无机和金属离子等杂质。通常这种方法不能彻底去净晶片表面的杂质，所以在采用浸泡的同时常辅以加热、超声、搅拌等物理措施。

(2)兆声波清洗。兆声波清洗不但具有超声波清洗的优点，而且克服了它的不足。兆声波清洗是由高能(850kHz)频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对晶片进行清洗。在清洗时，溶液分子在兆声波的推动下作加速运动(最大瞬时速度可达到30cm/s)，以高速的流体波连续冲击晶片表面，使晶片表面附着的污染物和细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。这种方法能同时起到机械擦片和化学清洗两种方法的作用。目前兆声波清洗方法已成为抛光片清洗的一种有效方法。

现有的晶片湿法清洗可以分为多槽式、旋转冲洗甩干以及单片腐蚀清洗三种方式。随着湿化学设备的不断升级改进，槽式清洗以其高效的工作方式具有重要地位。

为了适应晶片加工工艺中对晶片表面高洁净度的要求，湿化学清洗设备发展出了无片盒清洗的工艺。无片盒清洗与传统的料盒(花篮)清洗相比，清洗过程中晶片不受料盒(花篮)的遮挡，清洗效果有了很大的提升。

但是，上述清洗方法目前都较为单一；因此，开发一种具有多种清洗工艺组合的新清洗方法，是很有必要的。

发明内容

本发明是针对现有技术存在的不足，从而提供了一种晶片无片盒清洗方法，具体技术方案如下：

一种晶片无片盒清洗方法，包括以下步骤：

将晶片依次进行C/C清洗、第一次SC1清洗、第二次SC1清洗、第一次OFR清洗、第二次OFR清洗、SC2清洗、QDR清洗、第三次OFR清洗、干燥；

所述晶片使用无片盒清洗设备进行清洗；

所述C/C清洗的清洗液为超纯水；所述C/C清洗采用的C/C清洗槽，其是常温超纯水浸泡喷淋+常温N₂吹扫；目的是搬运机械手搬运晶片时与晶片接触的部分会接触药液，防止污染其他工艺及安全角度考虑采用此C/C清洗槽。

第一次SC1清洗和第二次SC1清洗的清洗液均为氨水、双氧水和水的混合液；

第一次OFR清洗、第二次OFR清洗和第三次OFR清洗的清洗液均为去离子水；

所述QDR清洗的清洗液为去离子水；