[发明专利]一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法在审
| 申请号： | 202211020083.1 | 申请日： | 2022-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN115346877A | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 徐大为;徐蓓蕾;曹利超;施辉;徐何军;王印权;吴建伟;葛超洋;黄天 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792;H01L23/552 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 flash 存储 器件 辐射 性能 方法 | ||
1.一种提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：提供P型外延片，在所述外延片上生长一层牺牲氧化层，然后湿法去除后，再依次形成二氧化硅层和氮化硅层；
步骤S2：使用有源区光罩，刻蚀形成STI隔离槽；
步骤S3：对所述STI隔离槽底部和侧壁依次注入氮和氧，然后进行高温退火；
步骤S4：使用LPCVD生长一层氮化硅；
步骤S5：填充HDP介质并退火，然后对HDP介质进行平坦化；
步骤S6：进行Flash高压阱注入、隧道氧化生长、浮栅多晶淀积、ONO淀积、控制栅多晶淀积、多晶刻蚀、LDD注入、侧墙淀积及刻蚀、源漏注入，后续工艺遵循通用的0.13μm Flash工艺制程。
2.根据权利要求1所述的提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，其特征在于：所述步骤S1中P型外延片的外延层厚度为4.0～6.0μm。
3.根据权利要求1所述的提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，其特征在于：所述步骤S3中STI隔离槽底部和侧壁先注入氮，再注入氧；其中，注入氮的能量为3～5KeV,注入剂量为1.1～1.3E18cm-2；注入氧的能量为2～4keV，注入剂量为1.4～1.6E18cm-2；
而高温退火中退火温度为1150～1200℃，退火时间0.5～1小时；
高温退火后在STI隔离槽侧壁和底部自外而内形成二氧化硅层和氮化硅层，其中二氧化硅厚度为氮化硅厚度为
4.根据权利要求1所述的提高n型Flash存储器件抗辐射性能的方法，其特征在于：所述步骤S4氮化硅的厚度为且其与STI隔离槽底部和侧壁注入氮氧所形成二氧化硅层和氮化硅层形成NON结构。
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