[发明专利]扇出式封装方法及封装结构在审
申请号: | 202211020242.8 | 申请日: | 2022-08-24 |
公开(公告)号: | CN115295434A | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 李尚轩;仇阳阳 | 申请(专利权)人: | 南通通富科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明;赵吉阳 |
地址: | 226010 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出式 封装 方法 结构 | ||
1.一种扇出式封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
分别提供芯片、临时载盘和磁性载盘;
在所述芯片的第一表面形成导电连接件,并将所述芯片的第一表面固定于所述临时载盘;
在与所述芯片的第一表面相背的第二表面形成磁性体层;
将所述芯片与所述临时载盘分离;
将形成有所述磁性体层的所述芯片吸附固定于所述磁性载盘;
在所述芯片的第一表面形成塑封层,将所述芯片与所述磁性载盘分离并去除所述磁性体层;
在所述芯片的第二表面形成重布线层,所述重布线层与所述导电连接件电连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁性载盘为电磁载盘,所述将形成有所述磁性体层的所述芯片吸附固定于所述磁性载盘,包括:
将所述电磁载盘通电产生磁力,将形成有所述磁性体层的所述芯片吸附固定于所述电磁载盘。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述将所述芯片的第一表面固定于所述临时载盘,包括:在所述临时载盘上形成第一剥离层和粘合层,将所述芯片的第一表面通过所述粘合层固定于所述临时载盘;
所述将所述芯片与所述临时载盘分离,包括:去除所述第一剥离层和所述粘合层,使得所述芯片与所述临时载盘分离。
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,
在将所述芯片固定于所述磁性载盘之前,所述方法还包括:在所述磁性载盘的表面形成第二剥离层;
所述将所述芯片与所述磁性载盘分离,包括:去除所述第二剥离层,使得所述芯片与所述磁性载盘分离;或,在所述磁性载盘为电磁载盘时,还包括先控制所述电磁载盘断电后再去除所述第二剥离层。
5.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,所述在所述芯片的第二表面形成重布线层,包括:
对所述塑封层进行减薄,露出所述导电连接件;
在所述导电连接件上形成所述重布线层。
6.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,所述在所述芯片的第一表面形成导电连接件,包括:
在所述芯片的第一表面形成焊盘;
在所述焊盘上形成导电凸块。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述在所述导电连接件上形成所述重布线层,包括:
在所述导电凸块和所述塑封层上形成第一介电层;
图形化所述第一介电层,在图形化后的所述第一介电层上形成重布线层。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述芯片的导电连接件上形成重布线层之后,所述方法还包括:
在所述重布线层上形成第二介电层;
图形化所述第二介电层,在图形化后的所述第二介电层上形成焊球。
9.根据权利要求1至3任一项所述的方法,其特征在于,所述磁性体层为磁性金属层。
10.一种扇出式封装结构,其特征在于,采用权利要求1至9任一项所述的封装方法封装形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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