[发明专利]扇出式封装方法及封装结构

说明书

本发明提供一种扇出式封装方法及封装结构，属于半导体封装技术领域，该方法包括：分别提供芯片、临时载盘和磁性载盘；在芯片的第一表面形成导电连接件，并将芯片的第一表面固定于临时载盘；在与芯片的第一表面相背的第二表面形成磁性体层；将芯片与临时载盘分离；将形成有磁性体层的芯片吸附固定于磁性载盘；在芯片的第一表面形成塑封层，将芯片与磁性载盘分离并去除磁性体层；在芯片的第二表面形成重布线层，重布线层与导电连接件电连接。本发明采用磁吸附技术可在芯片在与磁性载盘贴合时获得较高的精准度，降低了压合成型后芯片会产生偏移或者被封胶冲走的风险，极大提高芯片生产良率。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体涉及一种扇出式封装方法及封装结构。

背景技术

目前在半导体封装业界，扇出型芯片级封装作为应用于众多移动应用的成熟技术，主要有两种方式分别为先芯片和后芯片。其中先芯片工艺的优势在于具有较成熟的制程和较低的成本，但对于先芯片工艺来说，在热压过程中仍然存在芯片偏移、芯片/塑封层界面平整度不佳以及芯片翘曲问题，导致良率低下。

扇出型先芯片封装工艺中进行芯片重组粘合工序时，通过在载体上贴上热解胶，拾取合格的芯片放置于热解胶上，然后再用环氧树脂化合物包覆成型并固化。由于受到贴/装片机自身精度以及热解胶胶黏性的限制，在环氧树脂化合物封胶压合成型后芯片会因热解胶特性在高温下失去粘性以及塑封合模时造成了剪应力，这种芯片偏移风险的存在对后续的重布线制程等都会造成不良影响(光刻对位偏移导致产品开路)，在高性能运算的终端产品上会有更高的对位需求导致这高端产品需求皆布局在后芯片工艺。

针对上述问题，有必要提出一种设计合理且可以有效解决上述问题的一种扇出式封装方法及封装结构。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种扇出式封装方法及封装结构。

本发明的一方面提供一种扇出式封装方法，所述封装方法包括：

分别提供芯片、临时载盘和磁性载盘；

在所述芯片的第一表面形成导电连接件，并将所述芯片的第一表面固定于所述临时载盘；

在与所述芯片的第一表面相背的第二表面形成磁性体层；

将所述芯片与所述临时载盘分离；

将形成有所述磁性体层的所述芯片吸附固定于所述磁性载盘；

在所述芯片的第一表面形成塑封层，将所述芯片与所述磁性载盘分离并去除所述磁性体层；

在所述芯片的第二表面形成重布线层，所述重布线层与所述导电连接件电连接。

可选的，所述磁性载盘为电磁载盘，所述将形成有所述磁性体层的所述芯片吸附固定于所述磁性载盘，包括：

将所述电磁载盘通电产生磁力，将形成有所述磁性体层的所述芯片吸附固定于所述电磁载盘。

可选的，所述将所述芯片的第一表面固定于所述临时载盘，包括：在所述临时载盘上形成第一剥离层和粘合层，将所述芯片的第一表面通过所述粘合层固定于所述临时载盘；

所述将所述芯片与所述临时载盘分离，包括：去除所述第一剥离层和所述粘合层，使得所述芯片与所述临时载盘分离。

可选的，在将所述芯片固定于所述磁性载盘之前，所述方法还包括：在所述磁性载盘的表面形成第二剥离层；

所述将所述芯片与所述磁性载盘分离，包括：去除所述第二剥离层，使得所述芯片与所述磁性载盘分离；或，在所述磁性载盘为电磁载盘时，还包括先控制所述电磁载盘断电后再去除所述第二剥离层。

可选的，所述在所述芯片的第二表面形成重布线层，包括：