[发明专利]提高光刻套刻精度的方法

权利要求书

1.一种提高光刻套刻精度的方法，其特征在于，至少包括：

步骤一、提供基底，所述基底上形成有前层套刻标记和为倾斜形貌的当层套刻标记；

步骤二、获取所述当层套刻标记的关键尺寸参数；

步骤三、根据所述关键尺寸参数计算为倾斜形貌的所述当层套刻标记与为竖直形貌的所述当层套刻标记的偏移误差；

步骤四、获取所述前层套刻标记与所述当层套刻标记的第一套刻精度；

步骤五、以所述偏移误差补偿至所述第一套刻精度得到第二套刻精度。

2.根据权利要求1所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤一中的所述基底为硅衬底。

3.根据权利要求1所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤一中的所述前层套刻标记为形成于所述基底上的介质层。

4.根据权利要求1所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤一中的所述当层套刻标记为显影后的光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤二中通过线宽量测机台获取所述当层套刻标记的图形，根据所述当层套刻标记的图形得到所述关键尺寸参数。

6.根据权利要求1所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤二中的所述关键尺寸参数包括所述套刻标记的顶层关键尺寸、底层关键尺寸、周期和层厚。

7.根据权利要求6所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤三中所述根据所述关键尺寸参数计算为倾斜形貌的所述当层套刻标记与为竖直形貌的所述当层套刻标记的偏移误差的方法包括：根据所述关键尺寸数据建模分别建模得到与倾斜形貌、竖直形貌的所述当层套刻标记相对应的第一、二模型；根据所述第一、二模型得到所述偏移误差。

8.根据权利要求7所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤三中的所述偏移误差为水平方向的水平偏移误差。

9.根据权利要求8所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤三中的所述水平偏移误差其中，h为所述层厚，θ₁、θ₂为倾斜形貌的所述当层套刻标的两倾斜角。

10.根据权利要求9所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤五中所述第二套刻精度为TransX+Δx′，其中TransX为所述第一套刻精度Δx′为所述水平偏移误差。

11.根据权利要求1所述的提高光刻套刻精度的方法，其特征在于：步骤四中通过套准机台获取所述前层套刻标记与所述当层套刻标记的图像，根据两者的所述图像得到所述第一套刻精度。