[发明专利]FCBGA基板的半加成工艺方法

权利要求书

1.一种FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，包括：

步骤S1，在封装基板的内层线路(2)表面，依次压合ABF层(3)和铜箔(4)；

步骤S2，将压合后的ABF层(3)置于烘箱中烘烤，以完成预固化；

步骤S3，对预固化的ABF层(3)进行真空加温加压，使所述ABF层(3)完全固化；

步骤S4，去除所述铜箔(4)，在完全固化的ABF层(3)上制造外层线路(9)；

步骤S5，重复上述步骤S1～S4，形成多层线路封装基板。

2.根据权利要求1所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，步骤S1中，所述依次压合ABF层(3)和铜箔(4)之前，还包括：

对所述内层线路(2)表面进行粗化处理。

3.根据权利要求1所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，步骤S2中，所述将压合后的ABF层(3)置于烘箱中烘烤，包括：

先于130℃下烘烤30min，再于180℃下烘烤60min。

4.根据权利要求1所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，步骤S3中，所述对预固化的ABF层(3)进行真空加温加压，包括：

将预固化的ABF层(3)置于真空条件，在层压机的镜面隔离钢板夹持下，通过加温和加压，使所述ABF层(3)完全固化。

5.根据权利要求4所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，所述加温后的温度为190℃～210℃，所述加压后的压力大于1MPa。

6.根据权利要求1所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，步骤S4中，所述去除所述铜箔(4)，在完全固化的ABF层(3)上制造外层线路(9)，包括：

步骤S41，对所述完全固化的ABF层(3)和铜箔(4)进行激光钻孔，使ABF层(3)和铜箔(4)中形成与所述内层线路(2)连通的盲孔(5)；

步骤S42，去除激光钻孔残留胶渣；

步骤S43，去除表面铜箔(4)；

步骤S44，在所述ABF层(3)和所述盲孔(5)中化学镀铜，形成电镀种子层(6)；

步骤S45，在所述电镀种子层(6)上光刻形成图形电镀掩膜(7)；

步骤S46，在所述电镀种子层(6)中未被所述图形电镀掩膜(7)覆盖的区域电镀形成电路图形(8)并填充所述盲孔(5)；

步骤S47，去除所述图形电镀掩膜(7)；

步骤S48，去除所述图形电镀掩膜(7)覆盖的所述电镀种子层(6)，形成所述外层线路(9)。

7.根据权利要求6所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，步骤S44中，所述电镀种子层(6)的厚度为0.3μm～1μm。

8.根据权利要求1所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，步骤S5中，所述形成多层线路封装基板之后，还包括：

在所述多层线路封装基板的最外层制作阻焊层(10)。

9.根据权利要求8所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，所述制作阻焊层(10)之后，还包括：

在所述多层线路封装基板的最外层未被阻焊层(10)覆盖的区域涂覆有机保护膜(11)。

10.根据权利要求9所述的FCBGA基板的半加成工艺方法，其特征在于，所述有机保护膜(11)材料包括NiAu、NiPdAu、OSP、Sn中的任意一种。