[发明专利]FCBGA基板的半加成工艺方法

说明书

本发明提供一种FCBGA基板的半加成工艺方法，涉及封装基板制造技术领域。该方法包括：步骤S1，在封装基板的内层线路表面，依次压合ABF层和铜箔；步骤S2，将压合后的ABF层置于烘箱中烘烤，以完成预固化；步骤S3，对预固化的ABF层进行真空加温加压，使ABF层完全固化；步骤S4，去除铜箔，在完全固化的ABF层上制造外层线路；步骤S5，重复上述步骤S1～S4，形成多层线路封装基板。本发明可以解决大铜皮爆板的技术问题，保证基板的可靠性，减小工艺限制，提高设计自由度，降低工艺窗口，提高良率，以及降低基板翘曲。

技术领域

本发明涉及封装基板制造技术领域，尤其涉及一种FCBGA基板的半加成工艺方法。

背景技术

由于高密度布线的要求，FCBGA(Flip Chip Ball Grid Array，倒装芯片球栅阵列)基板制造的主要工艺方法是半加成法。半加成法不仅是铜线路制造技术问题，而且这种技术通常只能使用ABF(Ajinomoto Build-up Film，味之素堆积膜)材料作为绝缘层。换句话说，只有ABF材料才能实现用半加成法制造高密度布线。

由于材料本身性质决定，ABF材料中包含有一定量的溶剂，该溶剂在基板制造过程中如果不通过去除掉，后面布线层累计多层后，积累在基板中的溶剂极易造成基板起泡爆板。在基板布线金属层中不能设置连续的大面积铜皮，需要铜皮的区域必须加工一定间距的气孔，以便ABF层中的气体通过排除，避免爆板。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供了一种FCBGA基板的半加成工艺方法，避免大铜皮导致爆板。

为达到上述目的，本发明提供了一种FCBGA基板的半加成工艺方法，包括：步骤S1，在封装基板的内层线路2表面，依次压合ABF层3和铜箔4；步骤S2，将压合后的ABF层3置于烘箱中烘烤，以完成预固化；步骤S3，对预固化的ABF层3进行真空加温加压，使ABF层3完全固化；步骤S4，去除铜箔4，在完全固化的ABF层3上制造外层线路9；步骤S5，重复上述步骤S1～S4，形成多层线路封装基板。

进一步地，步骤S1中，依次压合ABF层3和铜箔4之前，还包括：对内层线路2表面进行粗化处理。

进一步地，步骤S2中，将压合后的ABF层3置于烘箱中烘烤，包括：先于130℃下烘烤30min，再于180℃下烘烤60min。

进一步地，步骤S3中，对预固化的ABF层3进行真空加温加压，包括：将预固化的ABF层3置于真空条件，在层压机的镜面隔离钢板夹持下，通过加温和加压，使ABF层3完全固化。

进一步地，加温后的温度为190℃～210℃，加压后的压力大于1MPa。

进一步地，步骤S4中，去除铜箔4，在完全固化的ABF层3上制造外层线路9，包括：步骤S41，对完全固化的ABF层3和铜箔4进行激光钻孔，使ABF层3和铜箔4中形成与内层线路2连通的盲孔5；步骤S42，去除激光钻孔残留胶渣；步骤S43，去除表面铜箔4；步骤S44，在ABF层3和盲孔5中化学镀铜，形成电镀种子层6；步骤S45，在电镀种子层6上光刻形成图形电镀掩膜7；步骤S46，在电镀种子层6中未被图形电镀掩膜7覆盖的区域电镀形成电路图形8并填充盲孔5；步骤S47，去除图形电镀掩膜7；步骤S48，去除图形电镀掩膜7覆盖的电镀种子层6，形成外层线路9。

进一步地，步骤S44中，电镀种子层6的厚度为0.3μm～1μm。

进一步地，步骤S5中，形成多层线路封装基板之后，还包括：在多层线路封装基板的最外层制作阻焊层10。

进一步地，制作阻焊层10之后，还包括：在多层线路封装基板的最外层未被阻焊层10覆盖的区域涂覆有机保护膜11。

进一步地，有机保护膜11材料包括NiAu、NiPdAu、OSP、Sn中的任意一种。