[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，

具备：基板；以及多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，包含第1TFT和第2TFT，

上述第1TFT具有：

第1氧化物半导体层，其包含第1沟道区域；

第1栅极电极，其隔着下部绝缘层配置在上述第1氧化物半导体层的上述基板侧，并且在从上述基板的法线方向来看时与上述第1沟道区域重叠；

沟道保护层，其配置在上述第1氧化物半导体层的与上述基板相反的一侧，至少覆盖上述第1沟道区域；以及

第1源极电极和第1漏极电极，其与上述沟道保护层相比配置于上层，并电连接到上述第1氧化物半导体层，

上述第2TFT具有：

第2氧化物半导体层，其包含第2沟道区域；

第2栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述第2氧化物半导体层的与上述基板相反的一侧，并且在从上述基板的法线方向来看时与上述第2沟道区域重叠；以及

第2源极电极和第2漏极电极，其配置在覆盖上述第2栅极电极的层间绝缘层上，并且电连接到上述第2氧化物半导体层，

上述第1氧化物半导体层和上述第2氧化物半导体层是由相同的层叠氧化物半导体膜形成的，上述层叠氧化物半导体膜具有层叠结构，上述层叠结构包含：高迁移率氧化物半导体膜，其具有相对高的迁移率；以及低迁移率氧化物半导体膜，其配置在上述高迁移率氧化物半导体膜的上述基板侧，具有比上述高迁移率氧化物半导体膜低的迁移率，

上述第1TFT的上述沟道保护层与上述第2TFT的上述栅极绝缘层是由相同的绝缘膜形成的。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，

上述下部绝缘层的厚度大于上述栅极绝缘层的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其中，

上述第2TFT还包含下部导电层，上述下部导电层是与上述第1TFT的上述第1栅极电极由相同的导电膜形成的，上述下部导电层在从上述基板的法线方向来看时与上述第2氧化物半导体层的至少一部分重叠。

4.根据权利要求3所述的有源矩阵基板，其中，

上述下部导电层与上述第2栅极电极电连接，作为上述第2TFT的下部栅极电极发挥功能。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

上述第1TFT的上述第1源极电极和上述第1漏极电极中的至少一方是与上述第2TFT的上述第2栅极电极由相同的导电膜形成的。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

上述第1TFT的上述第1源极电极和上述第1漏极电极中的至少一方与上述第2TFT的上述第2源极电极和上述第2漏极电极是由相同的导电膜形成的。

7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

上述第1TFT的上述第1源极电极和上述第1漏极电极中的至少一方是与上述第2TFT的上述第2栅极电极由相同的导电膜形成的电极，上述电极电连接到与上述第2TFT的上述第2源极电极和上述第2漏极电极由相同的导电膜形成的上部电极。

8.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

上述第1TFT的上述沟道保护层和上述第2TFT的上述栅极绝缘层是相互分离的。

9.根据权利要求1至7中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，

上述第1TFT的上述沟道保护层和上述第2TFT的上述栅极绝缘层是相互相连的。

10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，其中，

上述绝缘膜具有源极侧开口部和漏极侧开口部，上述源极侧开口部和上述漏极侧开口部在从上述基板的法线方向来看时位于上述栅极绝缘层的两侧，并且使上述第2氧化物半导体层的一部分露出。