[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

一种有源矩阵基板，具备第1TFT和第2TFT，第1TFT具有：第1氧化物半导体层，其包含第1沟道区域；第1栅极电极，其配置在第1氧化物半导体层的基板侧；沟道保护层，其配置在第1氧化物半导体层的与基板相反的一侧，覆盖第1沟道区域；以及比沟道保护层靠上层的第1源极电极和第1漏极电极，第2TFT具有：第2氧化物半导体层；第2栅极电极，其配置在第2氧化物半导体层的与基板相反的一侧；以及第2源极电极和第2漏极电极，其配置在覆盖第2栅极电极的层间绝缘层上，第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层是由相同的层叠氧化物半导体膜形成的，第1TFT的沟道保护层与第2TFT的栅极绝缘层是由相同的绝缘膜形成的。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示装置、有机电致发光(EL)显示装置等所使用的有源矩阵基板具有：显示区域，其具有多个像素；以及显示区域以外的区域(非显示区域或边框区域)。在显示区域，按每个像素具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor；以下称为“TFT”)等开关元件。作为这种开关元件，一直以来广泛使用以非晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“非晶硅TFT”)或以多晶硅膜为活性层的TFT(以下称为“多晶硅TFT”)。

作为TFT的活性层的材料，提出了使用氧化物半导体来代替非晶硅或多晶硅。将这种TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT与非晶硅TFT相比能以高速进行动作。

TFT的结构大体分为底栅结构和顶栅结构。当前，氧化物半导体TFT大多采用底栅结构，但也提出了使用顶栅结构(例如专利文献1)。在顶栅结构中，由于能够使栅极绝缘层变薄，因此会得到高的电流供应性能。

在有源矩阵基板的非显示区域，有时单片(一体)地形成有包含TFT的周边电路。例如，通过单片地形成驱动电路，会实现非显示区域的窄小化、安装工序简化所带来的成本降低。在非显示区域中，也可以是栅极驱动电路形成为单片，源极驱动电路以COG(Chip onGlass；玻璃上芯片)方式安装。在智能手机等窄边框化的要求高的设备中，有时也会单片地形成也被称为源极切换(Source Shared Driving：SSD)电路的解复用电路。

在本说明书中，将配置在显示区域的各像素的TFT(在有机EL显示装置所使用的有源矩阵基板中，是构成像素电路的多个TFT)称为“像素TFT”。另外，将构成设置在非显示区域的周边电路的TFT称为“周边电路TFT”。

在有源矩阵基板中，从制造工艺的观点出发，优选周边电路TFT也使用与像素TFT相同的氧化物半导体膜，并且使用共同的工艺来形成。因此，周边电路TFT和像素TFT通常具有相同的结构。这些TFT的特性也可能大致相同。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-109315号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，周边电路TFT和像素TFT所要求的特性各自不同。另外，即使是在周边电路TFT之中，根据用途的不同，所要求的特性也不同。

而且，在有机EL显示装置所使用的有源矩阵基板中，在1个像素内设置有包含至少两种像素TFT(称为“驱动用像素TFT”和“选择用像素TFT”。)的像素电路。选择用像素TFT具有改变对驱动用像素TFT的施加电压来选择像素的功能。驱动用像素TFT具有供应发光所需的电流的功能。选择用像素TFT与驱动用像素TFT承担不同的功能，因此，各自所要求的特性也可能不同。

在像这样具备用途不同的多个TFT的有源矩阵基板中，为了使各TFT能够具有根据用途而要求的特性，要求分别制作具有不同特性的多个氧化物半导体TFT。