[发明专利]光扫描装置和图像形成装置

权利要求书

1.一种光扫描装置，包括：

偏转单元，被配置为使光束偏转以在主扫描方向上扫描被扫描表面；以及

成像光学系统，被配置为将由偏转单元偏转的光束引导至被扫描表面并且在轴上像高与最外侧离轴像高之间具有不同的在主扫描方向上的部分倍率，

其中，当在偏转单元的偏转表面上相对于轴上偏转点在一侧的第一最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR₁表示，并且在偏转表面上相对于轴上偏转点在另一侧的第二最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR₂表示时，满足以下条件：

1.05≤|ΔR₁|≤1.50；以及

1.05≤|ΔR₂|≤1.50。

2.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中偏转表面上的反射率在主扫描方向上从轴上偏转点朝着第一最外侧离轴偏转点增加，并且在主扫描方向上从轴上偏转点朝着第二最外侧离轴偏转点增加。

3.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中，当与第一最外侧离轴偏转点对应的第一最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY₁表示，以及与第二最外侧离轴偏转点对应的第二最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY₂表示时，满足以下条件：

1.05≤|ΔY₁|≤1.50；以及

1.05≤|ΔY₂|≤1.50。

4.根据权利要求3所述的光扫描装置，其中各个像高处的部分倍率在主扫描方向上从轴上像高朝着第一最外侧离轴像高增加，并且在主扫描方向上从轴上像高朝着第二最外侧离轴像高增加。

5.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中，当与第一最外侧离轴偏转点对应的第一最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY₁表示，以及与第二最外侧离轴偏转点对应的第二最外侧离轴像高处的部分倍率与轴上像高处的部分倍率之比用ΔY₂表示时，满足以下条件：

0.80≤|ΔY₁/ΔR₁|≤1.20；以及

0.80≤|ΔY₂/ΔR₂|≤1.20。

6.根据权利要求1所述的光扫描装置，包括：

入射光学系统，被配置为使光束入射在偏转单元上，

其中，当入射光学系统的光轴与成像光学系统的光轴之间的角度用ψ[弧度]表示时，满足以下条件：

1.04≤|ψ|≤2.00。

7.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中，在相对于相应轴上光束和离轴光束的主光线的偏转表面上的偏转点当中，当入射在反射率最小的偏转点上的主光线的入射角用θ_ex表示时，满足以下条件：

0.34≤|θ_ex|≤1.14。

8.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中入射在偏转表面上的光束的宽度小于偏转表面在主扫描截面中的宽度。

9.根据权利要求1所述的光扫描装置，其中偏转表面是其中在基板上形成多层膜的表面。

10.根据权利要求9所述的光扫描装置，其中基板是由树脂形成的基板。

11.根据权利要求9所述的光扫描装置，其中多层膜从基板侧起依次包括地层、金属层、第一低折射率介电层、高折射率介电层和第二低折射率介电层，或者从基板侧起依次包括地层、金属层、第一高折射率介电层、低折射率介电层和第二高折射率介电层。

12.根据权利要求11所述的光扫描装置，其中低折射率介电层是由二氧化硅和氟化镁中的至少一种形成的层。