[发明专利]光扫描装置和图像形成装置在审
申请号: | 202211029142.1 | 申请日: | 2022-08-26 |
公开(公告)号: | CN115728937A | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 佐藤凉太;桑原世治 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G02B26/12 | 分类号: | G02B26/12;G03G15/04;G03G15/043;G02B1/115 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 汪晶晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描 装置 图像 形成 | ||
本公开涉及光扫描装置和图像形成装置。根据本发明的光扫描装置包括:偏转单元,被配置为使光束偏转以在主扫描方向上扫描被扫描表面;以及成像光学系统,被配置为将由偏转单元偏转的光束引导至被扫描表面并且在轴上像高与最外侧离轴像高之间具有不同的在主扫描方向上的部分倍率。在偏转单元的偏转表面上相对于轴上偏转点在一侧的第一最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比,以及在偏转表面上相对于轴上偏转点在另一侧的第二最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比被各自适当地设定。
技术领域
本发明涉及光扫描装置和图像形成装置。
背景技术
常规上,已知一种光扫描装置,其被配置为具有其中光束的扫描速度在轴上像高与离轴像高之间不同的不均匀扫描速度特点,以实现小型化。
在这种光扫描装置中,已知因为在被扫描表面上的各个像高处的每单位面积的曝光量由于扫描速度在轴上像高与离轴像高之间的差异而不同,因此发生光量不均匀。
日本专利申请公开No.2007-292918公开了一种光扫描装置,其中使光源在发射用于扫描轴上像高的光束时的光发射时间与在发射用于扫描离轴像高的光束时的不同,以减少被扫描表面上的光量不均匀。
但是,在日本专利申请公开No.2007-292918中公开的光扫描装置中,需要新提供用于控制光源的光发射时间的控制器,使得其结构变得复杂并且其尺寸变得增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够以小且简单的结构减少被扫描表面上的光量不均匀的光扫描装置以及包括该光扫描装置的图像形成装置。
根据本发明的光扫描装置包括:偏转单元,被配置为使光束偏转以在主扫描方向上扫描被扫描表面;以及成像光学系统,被配置为将由偏转单元偏转的光束引导至被扫描表面并且在轴上像高与最外侧离轴像高之间具有不同的在主扫描方向上的部分倍率,其中,当在偏转单元的偏转表面上相对于轴上偏转点在一侧的第一最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR1表示,并且在偏转表面上相对于轴上偏转点在另一侧的第二最外侧离轴偏转点处的反射率与轴上偏转点处的反射率之比用ΔR2表示时,满足以下条件:
1.05≤|ΔR1|≤1.50;以及
1.05≤|ΔR2|≤1.50。
本发明的其它特征将从以下参考附图对示例性实施例的描述中变得清楚。
附图说明
图1A是根据本发明第一实施例的光扫描装置的示意性主扫描横截面视图。
图1B是根据第一实施例的光扫描装置的部分放大的示意性副扫描横截面视图。
图2是示出根据第一实施例的光扫描装置中部分倍率的偏差的像高依赖性的曲线图。
图3A是用于在偏转单元中的偏转表面上形成膜的真空气相沉积装置的示意性横截面视图。
图3B是用于在偏转单元中的偏转表面上形成膜的真空气相沉积装置的部分放大的示意性横截面视图。
图4是示出根据第一实施例的光扫描装置中包括的偏转单元中的偏转表面的反射率的入射角依赖性的曲线图。
图5A是示出根据第一实施例的光扫描装置中的主扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
图5B是示出根据第一实施例的光扫描装置中的副扫描方向上的LSF深度的中心位置的像高依赖性的曲线图。
图6是示出根据第一实施例的光扫描装置的被扫描表面上的光量分布的曲线图。
图7A是根据本发明第二实施例的光扫描装置的示意性主扫描横截面视图。
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