[发明专利]确定结晶度的方法以及使用该方法制造显示装置的方法在审
申请号: | 202211033720.9 | 申请日: | 2022-08-26 |
公开(公告)号: | CN115768181A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 辛彦弼;金明铁;李东勋;徐智勋;林用賱;崔纹诚;禹炫朱;郑锡宇 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H10K59/123 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李子光 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 确定 结晶度 方法 以及 使用 制造 显示装置 | ||
1.一种确定结晶度的方法,所述方法包括:
获取结晶的多个样本中的每个的拉曼光谱,以获得多个拉曼光谱;
将表现出所述多个拉曼光谱当中的具有最大的第一拉曼强度的第一拉曼光谱的第一样本确定为最佳样本;以及
将表现出具有在基于所述第一拉曼强度的所述第一拉曼强度的范围内的第二拉曼强度的第二拉曼光谱的第二样本确定为第一正常样本。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将表现出具有在基于所述第一拉曼强度的所述第一拉曼强度的所述范围外的第三拉曼强度的第三拉曼光谱的第三样本确定为初始正常样本。
3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:
获取所述多个拉曼光谱中的每个的半峰全宽;以及
将表现出具有小于所述第一样本的所述第一拉曼光谱的半峰全宽的半峰全宽的第四拉曼光谱的第四样本确定为缺陷样本。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,将所述第四样本确定为所述缺陷样本对所述初始正常样本执行。
5.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:
将表现出具有大于或等于所述第一样本的所述第一拉曼光谱的所述半峰全宽的半峰全宽的第五拉曼光谱的第五样本确定为第二正常样本。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,通过分别向所述多个样本照射具有不同能量的激光来使所述多个样本结晶。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述激光为准分子激光。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,
获取结晶的所述多个样本中的每个的所述拉曼光谱包括向所述多个样本中的每个照射拉曼激光束,并且
所述拉曼激光束以线光束的形式照射。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个样本中的每个包括硅。
10.一种制造显示装置的方法,所述方法包括:
获取通过分别向多个样本照射具有不同能量的激光而结晶的所述多个样本中的每个的拉曼光谱,以获得多个拉曼光谱;
将表现出所述多个拉曼光谱当中的具有最大的第一拉曼强度的第一拉曼光谱的第一样本确定为最佳样本;
将表现出具有在基于所述第一拉曼强度的所述第一拉曼强度的范围内的第二拉曼强度的第二拉曼光谱的第二样本确定为第一正常样本;
在衬底上形成包括非晶硅的初始有源层;
通过向所述初始有源层照射选自包括使所述第一样本结晶的第一激光和使所述第二样本结晶的第二激光的激光组的激光来形成有源层;以及
在所述有源层上形成发光元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211033720.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。