[发明专利]确定结晶度的方法以及使用该方法制造显示装置的方法

说明书

提供了确定结晶度的方法和制造显示装置的方法。该确定结晶度的方法可以包括：获取结晶的多个样本中的每个的拉曼光谱；将表现出多个拉曼光谱当中的具有最大的第一拉曼强度的第一拉曼光谱的第一样本确定为最佳样本；以及将表现出具有在基于第一拉曼强度的第一拉曼强度的范围内的第二拉曼强度的第二拉曼光谱的第二样本确定为第一正常样本。

技术领域

本公开总体上涉及确定结晶度的方法以及使用该方法制造显示装置的方法。更具体地，本公开涉及用于确定硅薄膜是否具有不良结晶度的方法以及用于使用该方法制造显示装置的方法。

背景技术

显示装置可以包括包含硅的薄膜晶体管。硅的示例可以包括非晶硅和多晶硅。非晶硅可以具有大约0.5cm²/Vs至大约1cm²/Vs的低电子迁移率。多晶硅可以具有大约几十cm²/Vs至几百cm²/Vs的电子迁移率。然而，包括在显示装置中的薄膜晶体管可能需要具有大于或等于在大约几十cm²/Vs至几百cm²/Vs的电子迁移率内的预定标准的电子迁移率的多晶硅。

在本背景技术部分公开的以上信息仅用于对用于理解技术的背景的理解。然而，技术部分的本背景也可能包括不为在本文中公开的主题的对应有效申请日以前相关领域技术人员已知道或领会的内容的部分的想法、构思或认识。

发明内容

一些实施例提供了具有提高的可靠性的确定结晶度的方法。

一些实施例提供了使用确定结晶度的方法制造显示装置的方法。

确定结晶度的方法可以包括：获取结晶的多个样本中的每个的拉曼光谱；将表现出多个拉曼光谱当中的具有最大的第一拉曼强度的第一拉曼光谱的第一样本确定为最佳样本；以及将表现出具有在基于第一拉曼强度的第一拉曼强度的范围内的第二拉曼强度的第二拉曼光谱的第二样本确定为第一正常样本。

根据实施例，确定结晶度的方法可以进一步包括：将表现出具有在基于第一拉曼强度的第一拉曼强度的范围外的第三拉曼强度的第三拉曼光谱的第三样本确定为初始正常样本。

根据实施例，确定结晶度的方法可以进一步包括：获取多个拉曼光谱中的每个的半峰全宽；以及将表现出具有小于第一样本的第一拉曼光谱的半峰全宽的半峰全宽的第四拉曼光谱的第四样本确定为缺陷样本。

根据实施例，将第四样本确定为缺陷样本可以对初始正常样本执行。

根据实施例，确定结晶度的方法可以进一步包括：将表现出具有大于或等于第一样本的第一拉曼光谱的半峰全宽的半峰全宽的第五拉曼光谱的第五样本确定为第二正常样本。

根据实施例，可以通过分别向多个样本照射具有不同能量的激光来使多个样本结晶。

根据实施例，激光可以为准分子激光。

根据实施例，获取结晶的多个样本中的每个的拉曼光谱可以包括：向多个样本中的每个照射拉曼激光束。拉曼激光束可以以线光束的形式照射。

根据实施例，拉曼激光束可以具有大约532纳米的波长。

根据实施例，样本中的每个可以包括硅。

制造显示装置的方法可以包括：获取通过分别向多个样本照射具有不同能量的激光而结晶的多个样本中的每个的拉曼光谱；将表现出多个拉曼光谱当中的具有最大的第一拉曼强度的第一拉曼光谱的第一样本确定为最佳样本；将表现出具有在基于第一拉曼强度的第一拉曼强度的范围内的第二拉曼强度的第二拉曼光谱的第二样本确定为第一正常样本；在衬底上形成包括非晶硅的初始有源层；通过向初始有源层照射选自包括使第一样本结晶的第一激光和使第二样本结晶的第二激光的激光组的激光来形成有源层；以及在有源层上形成发光元件。