[发明专利]一种半导体溅射钽环的修复方法

权利要求书

1.一种半导体溅射钽环的修复方法，其特征在于，所述的修复方法包括：

(Ⅰ)将分布在环件本体外壁的凸结体由所述环件本体的表面分离，得到第一环体，所述第一环体的表面形成预留槽；

(Ⅱ)对所述第一环体进行酸洗，去除表面的附着物；

(Ⅲ)车削所述第一环体的内圈表面、外圈表面与R角，去除表面的残留物质；

(Ⅳ)在所述预留槽内填充垫片，得到第二环体，并对所述第二环体进行粗糙化处理；

(Ⅴ)取出所述垫片，将所述凸结体分别固定在所述预留槽内，完成修复。

2.根据权利要求1所述的修复方法，其特征在于，步骤(Ⅰ)中，所述的分离包括：利用切割装置切割所述环件本体外壁的所述凸结体，再将所述凸结体与所述环件本体的连接部进行切除形成所述预留槽，得到所述第一环体。

3.根据权利要求1或2所述的修复方法，其特征在于，步骤(Ⅱ)中，所述酸洗包括：采用酸溶液浸泡所述第一环体；

优选地，所述酸溶液包括HF、HCl与水，所述HF、HCl与水的体积比为1:(2～5):(1～3)；

优选地，步骤(II)中，所述酸洗的时间为3～8min。

4.根据权利要求1-3任一项所述的修复方法，其特征在于，所述修复方法还包括：在所述车削之后并在所述填充垫片之前，对所述第一环体的内圈表面、外圈表面与R角处进行抛光处理；

优选地，所述抛光处理包括：采用砂纸在所述第一环体的内圈表面、外圈表面与R角处摩擦削除。

5.根据权利要求4所述的修复方法，其特征在于，所述抛光处理后，所述环件本体的厚度损失率为1～6％。

6.根据权利要求1-5任一项所述的修复方法，其特征在于，步骤(Ⅳ)中，所述垫片为弧形结构，所述垫片与所述预留槽的结构相匹配；

优选地，所述垫片的材质与所述环件本体的材质相同。

7.根据权利要求1-6任一项所述的修复方法，其特征在于，步骤(Ⅳ)中，所述粗糙化处理包括：采用滚花轮在所述第二环体的内圈表面、外圈表面与R角处形成花纹；

优选地，所述第二环体表面的粗糙度为12～45μm。

8.根据权利要求1-7任一项所述的修复方法，其特征在于，步骤(Ⅴ)中，所述的固定为焊接固定。

9.根据权利要求1-8任一项所述的修复方法，其特征在于，步骤(Ⅴ)中，在固定所述凸结体前，对所述凸结体依次进行酸洗与抛光处理，去除所述凸结体表面的附着物。

10.根据权利要求1-9任一项所述的修复方法，其特征在于，所述修复方法具体包括如下步骤：

(1)利用切割装置切割环件本体外壁的凸结体，再将所述凸结体与所述环件本体的连接部进行切除形成预留槽，得到第一环体；

(2)采用酸溶液浸泡所述第一环体进行酸洗，去除所述第一环体表面的附着物，酸洗的时间为3～8min；

(3)车削所述第一环体的内圈表面、外圈表面与R角，去除表面的残留物质，并采用砂纸进行抛光处理；

(4)在所述第一环体的预留槽内填充垫片，得到第二环体，并采用滚花轮在所述第二环体的内圈表面、外圈表面与R角处形成花纹；

(5)对步骤(1)中的凸结体依次进行酸洗与抛光处理，去除所述凸结体表面的附着物；

(6)取出所述第二环体的垫片，将步骤(5)中的凸结体分别固定在所述预留槽内，完成修复。