[发明专利]一种半导体溅射钽环的修复方法

说明书

本发明提供了一种半导体溅射钽环的修复方法，包括：(Ⅰ)将分布在环件本体外壁的凸结体由所述环件本体的表面分离，得到第一环体，所述第一环体的表面形成预留槽；(Ⅱ)对所述第一环体进行酸洗，去除表面的附着物；(Ⅲ)车削所述第一环体的内圈表面、外圈表面与R角，去除表面的残留物质；(Ⅳ)在所述预留槽内填充垫片，得到第二环体，并对所述第二环体进行粗糙化处理；(Ⅴ)取出所述垫片，将所述凸结体分别固定在所述预留槽内，完成修复。本发明实现了溅射钽环的再利用，大大降低了半导体溅射钽环的制作成本。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，涉及溅射钽环，尤其涉及一种半导体溅射钽环的修复方法。

背景技术

半导体在物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)过程中，需要设置溅射钽环来约束溅射离子的运动轨迹。在镀膜过程中，由于带电粒子轰击靶材，溅射钽环表面容易沉积金属、合金或电介质薄膜，随着附着物的增加，具有发生脱落的风险。为保证溅射效果，应更换全新的溅射钽环，而使用后的溅射钽环通常报废处理。

现有部分溅射钽环在使用后，其实际厚度仍然可以满足溅射要求，若将其报废处理，更换频率高，则造成资源浪费，提高了制造成本。因此，提供一种修复溅射靶材的方法，使其满足再利用要求，对于降低制造成本是非常重要的。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明的目的在于提供一种半导体溅射钽环的修复方法，将环件本体外侧焊接的凸结体从环件本体上去除，获得只有环件本体的环，去除附着在环件本体表面的附着物，重新滚花，并再次焊接凸结体，实现了溅射钽环的再利用，从而大大降低了半导体溅射钽环的制作成本。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种半导体溅射钽环的修复方法，所述的修复方法包括：

(Ⅰ)将分布在环件本体外壁的凸结体由所述环件本体的表面分离，得到第一环体，所述第一环体的表面形成预留槽；

(Ⅱ)对所述第一环体进行酸洗，去除表面的附着物；

(Ⅲ)车削所述第一环体的内圈表面、外圈表面与R角，去除表面的残留物质；

(Ⅳ)在所述预留槽内填充垫片，得到第二环体，并对所述第二环体进行粗糙化处理；

(Ⅴ)取出所述垫片，将所述凸结体分别固定在所述预留槽内，完成修复。

需要说明的是，本发明中的半导体溅射钽环包括环状结构的环件本体，沿所述环件本体的外壁均匀分布有多个凸结体，在半导体溅射钽环的制作过程中，首先在环件本体的外壁表面形成多个预留槽，再将凸结体分别固定在预留槽内。因此，在半导体溅射钽环修复时，将凸结体去除后，环件本体表面的预留槽则会显露出来。

作为本发明一个优选技术方案，步骤(Ⅰ)中，所述的分离包括：利用切割装置切割所述环件本体外壁的所述凸结体，再将所述凸结体与所述环件本体的连接部进行切除形成所述预留槽，得到所述第一环体。

需要说明的是，本发明所述的连接部为凸结体与环件本体的焊接固定过程中形成的连接部分。

作为本发明一个优选技术方案，步骤(Ⅱ)中，所述酸洗包括：采用酸溶液浸泡所述第一环体。

优选地，所述酸溶液包括HF、HCl与水，所述HF、HCl与水的体积比为1:(2～5):(1～3)，例如可以是1:2:1、1:2:2、1:3:1、1:4:3、1:2:3、1:5:3或1:5:2，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。

优选地，步骤(II)中，所述酸洗的时间为3～8min，例如可以是3.0min、3.5min、4.0min、4.5min、5.0min、6.0min、6.5min、7.0min、7.5min或8.0min，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。