[发明专利]一种深紫外LED芯片的返工方法

权利要求书

1.一种深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；

S2，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；

S3，采用BOE溶液浸泡经过S2步骤后的深紫外LED芯片；

S4，对经过S3步骤后的深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；

S5，采用返工液浸泡经过S4步骤后的深紫外LED芯片；

S6，清水冲洗经过S4步骤后的深紫外LED芯片，返回进行制程工序。

2.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S1步骤和S6步骤中，采用99.99％的去离子水进行清水冲洗，且单次冲洗时间大于10min。

3.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S1步骤中，采用王水进行一次酸浸泡处理，其浸泡时间为2～4h。

4.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S2步骤中，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺或反应等离子体刻蚀工艺，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片表面金属和有机物进行刻蚀。

5.根据权利要求4所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S2步骤中，采用等离子去胶机对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行轰击，刻蚀时间为1～5000s。

6.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S3步骤中，所述BOE溶液为氟化铵腐蚀液，且氟化铵与溶剂的质量比为1：20，所述BOE溶液的浸泡时间为1～5000s。

7.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S4步骤中，采用ITO溶液进行二次酸浸泡处理，所述ITO溶液包括盐酸和三氯化铁，所述二次酸浸泡处理的时间为1～5000s。

8.根据权利要求7所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述ITO溶液中盐酸的质量占比为5～30％，所述三氯化铁的质量占比为5～30％。

9.根据权利要求1所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S5步骤中，所述返工液以质量百分数计包括如下组分：无机酸1～10％，氟化物1～10％，分散剂0.1～10％，溶剂70～80％。

10.根据权利要求9所述深紫外LED芯片的返工方法，其特征在于，所述S5步骤中，返工液浸泡时间为0.1～4h。