[发明专利]一种深紫外LED芯片的返工方法

说明书

本发明公开了一种深紫外LED芯片的返工方法，包括如下步骤：清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；对深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；采用BOE溶液浸泡深紫外LED芯片；对深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；采用返工液浸泡深紫外LED芯片；清水冲洗深紫外LED芯片，返回进行制程工序。本发明通过一次酸浸‑表面刻蚀‑BOE溶液浸泡‑二次酸浸‑返工液浸泡的工艺，使经返工后的外延片发光效果接近与正常外延片的发光效果，有效避免了传统强酸或强碱浸泡时间长，易造成损伤的问题。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是一种深紫外LED芯片的返工方法。

背景技术

目前，深紫外LED在芯片生产过程中存在一定比例的外延片未能达到预期的制程要求，需要对这些不佳的外延片进行制程返工工序，但目前没有较好的制程返工手段，其原因在于，深紫外LED外延片主要基于AlGaN材料，在外延生长过程中含有大量的Al，且深紫外LED的p型层一般也为高Al组分的AlGaN，从而使得Al容易残留在外延片的表层，对制程返工后的效果造成影响。如果使用强酸或者强碱浸泡外延片，以除去外延片表面多余的Al，所需时间较长，则会对深紫外LED外延片造成不可逆的损伤，从而对返工后的深紫外LED外延片的发光效果造成影响。故需要提出一种新的返工方法用于解决现有返工手段的不足。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种深紫外LED芯片的返工方法，用于解决深紫外LED外延片采用制程返工方法易对外延片造成不可逆损伤的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种深紫外LED芯片的返工方法，包括如下步骤：S1，清水冲洗待返工的深紫外LED芯片后，进行一次酸浸泡处理；S2，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行表面刻蚀处理；S3，采用BOE溶液浸泡经过S2步骤后的深紫外LED芯片；S4，对经过S3步骤后的深紫外LED芯片进行二次酸浸泡处理；S5，采用返工液浸泡经过S4步骤后的深紫外LED芯片；S6，清水冲洗经过S4步骤后的深紫外LED芯片，返回进行制程工序。

优选的，S1步骤和S6步骤中，采用99.99％的去离子水进行清水冲洗，且单次冲洗时间大于10min。

优选的，S1步骤中，采用王水进行一次酸浸泡处理，浸泡时间为2～4h。

优选的，S2步骤中，采用电感耦合等离子体刻蚀工艺或反应等离子体刻蚀工艺，对经过S1步骤后的深紫外LED芯片表面金属和有机物进行刻蚀。

优选的，S2步骤中，采用等离子去胶机对经过S1步骤后的深紫外LED芯片进行轰击，刻蚀时间为1～5000s。

优选的，S3步骤中，BOE溶液为氟化铵腐蚀液，且氟化铵与溶剂的质量比为1：20，BOE溶液的浸泡时间为1～5000s。

优选的，S4步骤中，采用ITO溶液进行二次酸浸泡处理，ITO溶液包括盐酸和三氯化铁，二次酸浸泡处理的时间为1～5000s。

优选的，ITO溶液中盐酸的质量占比为5～30％，三氯化铁的质量占比为5～30％。

优选的，S5步骤中，返工液以质量百分数计包括如下组分：无机酸1～10％，氟化物1～10％，分散剂0.1～10％，溶剂70～80％。

优选的，S5步骤中，返工液浸泡时间为0.1～4h。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供了一种深紫外LED芯片的返工方法，通过一次酸浸-表面刻蚀-BOE溶液浸泡-二次酸浸-返工液浸泡的工艺，逐步除去待返工外延片的表层结构，同时避免对外延片造成不可逆的损伤，使经返工后的外延片发光效果接近与正常外延片的发光效果，有效避免了传统强酸或强碱浸泡时间长，易造成损伤的问题。

具体实施方式