[发明专利]一种高导电石墨烯膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211046322.0 申请日: 2022-08-30
公开(公告)号: CN115448299A 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 陈丽萍 申请(专利权)人: 深圳市米韵科技有限公司
主分类号: C01B32/19 分类号: C01B32/19
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市福*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 导电 石墨 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高导电石墨烯膜的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:

步骤S1、将鳞片石墨缓慢加入质量分数70%浓硫酸中,冰水浴下匀速搅拌30min,之后加入高锰酸钾,升温至35℃,匀速搅拌4h,搅拌结束后缓慢滴加质量分数15%过氧化氢水溶液,升温至65-90℃,保温反应直至无气体产生,滴加质量分数5%稀盐酸,继续搅拌并反应2h,反应结束后用去离子水透析至中性,过滤,制得氧化石墨,之后加入去离子水,制得质量分数1-1.5%氧化石墨悬浮液;

步骤S2、将氧化石墨烯悬浮液加入均质机中,以5000r/min的转速搅拌30min,制得分散液,之后用0.55μm的混纤微孔滤膜真空抽滤,用去离子水洗涤,形成一面带有薄膜的滤膜,将PET膜作为基底,在基底表面滴加异丙醇,将薄膜面贴在基体表面,继续滴加异丙醇,排出滤膜和基底间的气泡,置于培养皿中,在滤膜表面缓慢滴加丙酮直至滤膜溶解,静置1h后排出丙酮,将基底倾斜放置,分别用无水乙醇和丙酮清洗三次,烘干,制得大片径氧化石墨烯薄膜;

步骤S3、将大片径氧化石墨烯薄膜转移至石英基材表面,置于高温反应炉中,预热至300℃,高温反应炉前部设有汽化炉,将混合溶液通入汽化炉中汽化,之后随氩气气流进入高温反应炉中,反应30min后升温至600℃,煅烧2h,制得高导电石墨烯膜。

2.根据权利要求1所述的一种高导电石墨烯膜的制备方法,其特征在于:步骤S1中控制鳞片石墨、浓硫酸和高锰酸钾的用量比为100-150g∶2.5-3L∶30-50g,过氧化氢水溶液的用量为鳞片石墨与浓硫酸重量和的10%,稀盐酸的用量为过氧化氢水溶液体积的30-50%。

3.根据权利要求1所述的一种高导电石墨烯膜的制备方法,其特征在于:步骤S3中控制汽化炉温度为280-300℃,混合溶液的通入量为3-5sccm,氩气气流的流量为20sccm。

4.根据权利要求1所述的一种高导电石墨烯膜的制备方法,其特征在于:步骤S3中所述混合溶液为苯胺和苯二胺按照1∶1的体积比混合而成。

5.一种高导电石墨烯膜,其特征在于:由权利要求1所述的制备方法制备而成。

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