[发明专利]一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法

权利要求书

1.一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将原料RE_xFe_100-x-yB_y混合置于感应熔炼炉中，在氩气保护条件下进行熔炼至完全熔融均匀，随炉冷却至室温，得到成分均匀的母合金铸锭，随后破碎，母合金铸锭中硼含量高，因此较脆，可以直接用外力将母合金铸锭破碎成母合金颗粒；

(2)将步骤(1)的母合金颗粒按一定的比例与助溶剂M颗粒混合均匀置于坩埚中，再将坩埚置于石英管中，随后对石英管进行真空封管，使石英管内部与外界气体隔离；

(3)将步骤(2)的密闭石英管置于任意马弗炉中，升温至1250～1300℃，恒温保温1～2h，随后，以5～10℃/h的降温速率缓冷至1100～1150℃，接着，在此温度下恒温保温120～240h，最后，将石英管取出水淬至室温；

(4)将步骤(3)的石英管内的样品取出后进行破碎，将破碎后的样品放入腐蚀液体中进行晶界腐蚀，最后剥离其他杂质后得到RE₂Fe₁₄B单晶。

2.按照权利要求1所述的一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述步骤(1)中母合金成分按原子比计为RE_xFe_100-x-yB_y，其中x和y满足以下关系：25≤x≤40,15≤y≤30；RE为稀土元素钕、镨、镝、铽、铈和钇的其中一种或多种混合。

3.按照权利要求1所述的一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述步骤(1)中母合金铸锭破碎粒度≤1mm。

4.按照权利要求1所述的一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述步骤(2)中助溶剂M为镁、铜和镓其中一种，颗粒状，粒度≤1mm。

5.按照权利要求1所述的一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述步骤(2)中母合金颗粒和助溶剂的质量比为10～20：1。

6.按照权利要求1所述的一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述步骤(2)中，坩埚材质为高纯氧化锆。

7.按照权利要求1所述的一种稀土铁硼永磁单晶的助熔剂生长方法，其特征在于，所述步骤(4)中，腐蚀液10％盐酸和10％硝酸中的一种。