[发明专利]晶圆测试系统及测试方法在审
申请号: | 202211049298.6 | 申请日: | 2022-08-30 |
公开(公告)号: | CN115360114A | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 周伟平;宋旻皓 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 张亚静 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 系统 方法 | ||
本发明提供了一种晶圆测试系统及其测试方法,应用于半导体测试技术领域。具体的,其通过预先设定的算法,在现有技术中利用通常算法得到的可以用于唯一标识每一芯片的标识符UID的基础上对其进行拓展,即,添加多个子维度数据信息,从而得到一个首次提出的多维度标识符UID,然后,在对晶圆中包含的芯片进行测试,以先在测试过程中将本发明形成的多维度标识符UID写入到芯片中,然后,在利用其它测试步骤,最终在测试结束时得到在该测试过程中实际写入到芯片中的标识符UID,之后再通过所述多维度标识符UID和测试过程中实际写入到芯片中的标识符UID进行对比,从而可以准确的确定出测试过程中写入到芯片中的标识符UID的唯一性、准确性及安全性。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种晶圆测试系统及测试方法。
背景技术
随着晶圆测试简称CP测试,CP测试是集成电路后道测试封装的重要工序。CP测试是对晶圆裸片进行电气测试,需要对晶圆上的每一个芯片(die)进行测试,如果芯片测试通过在对应的芯片为良品,测试未通过的芯片则为不良品。如果良率达到要求,则晶圆测试通过,如果良率较低,则需要通过工程师进行处置,以检测晶圆制造过程中是否出现问题。对不良品,如果能修补则进行修补。
CP测试中,CP测试数据是晶圆出货的重要依据,因此,CP测试数据的处理和分析及根据测试结果对晶圆的处置方法更为关键,例如,目前在银行卡、身份证、护照等芯片中,其均需要写入每个芯片的UID(芯片唯一标识符)数据,而在现有的技术中,其是在UID文件中逐个提取每个芯片的UID信息,然后再写入合格的芯片中,之后再在晶圆测试过程中对晶圆读出校验,确保晶圆中的每个芯片想要写的UID信息数据被正确的写入对应的芯片中。
但是,现有技术其难以避免的是在晶圆测试过程中出现文件损坏或测试机异常等问题导致的对测试晶圆中的每个芯片的UID信息的读取错误,从而使实际写入的芯片的UID信息错误,并还缺少必要的后期查重及回收校验技术的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆测试方法,以提高晶圆测试中写入每一芯片中的用于唯一标识芯片的标识符UID的准确性和稳定性。
第一方面,为解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆测试方法,包括如下步骤:
获取多个不同批次晶圆,每个批次中有多个晶圆,每个所述晶圆上具有若干个芯片,确定所述每一批次晶圆中的每一芯片的第一标识符UID;
对所述不同批次晶圆进行多步测试,以在第一步测试中将每一芯片所对应的第一标识符UID写入所述每一批次晶圆中的每一芯片中,并在经过多步测试后得到每一批次晶圆中的每一芯片的第二标识符UID;
针对每一批次晶圆中的每一芯片,将该芯片的第一标识符UID和第二标识符UID进行对比,若对比一致,则确定所述芯片在本次测试中写入的标识符UID符合设计要求。
进一步的,所述第一标识符UID可以包括5维数据信息。
进一步的,所述5维数据信息可以包括:芯片的ID、芯片所属晶圆所在的批次晶圆的LotID、芯片所属晶圆的晶圆ID、芯片在所属晶圆内的X坐标和Y坐标。
进一步的,在针对每一批次晶圆中的每一芯片,将该芯片的第一标识符UID和第二标识符UID进行对比,确定出每一芯片在本次测试中写入的标识符UID是否符合设计要求之后,所述方法还可以包括:
针对每一批次晶圆,统计该批次晶圆中标识符UID符合设计要求的芯片的数目,并对标识符UID不符合设计要求的芯片的第一标识符UID进行查重和回收。
第二方面,本发明还提供了一种电子设备,包括处理器、通信接口、存储器和通信总线,其中,处理器,通信接口,存储器通过通信总线完成相互间的通信。
存储器,用于存放计算机程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造