[发明专利]可靠性检测方法及装置

权利要求书

1.一种可靠性检测方法，其特征在于，包括：

第一步骤：将多个待检测半导体结构并联，并对所有所述待检测半导体结构同时施加持续增大的第一电压，并检测流经所有所述待检测半导体结构的总电流，直至所述总电流按照第一预设条件发生突变；

第二步骤：对每个所述待检测半导体结构单独施加固定的第二电压，并检测流经每个所述待检测半导体结构的子电流，并将满足第二预设条件的所述子电流对应的所述待检测半导体结构标记为已测半导体结构；

剔除所述已测半导体结构，并对剩余的所述待检测半导体结构重复执行上述第一步骤到第二步骤直至所有所述待检测半导体结构均被标记为已测半导体结构。

2.如权利要求1所述的可靠性检测方法，其特征在于，所述第一预设条件为：突变后的所述总电流大于等于突变前的所述总电流的1000倍。

3.如权利要求1所述的可靠性检测方法，其特征在于，所述第二预设条件为：流经被标记为所述已测半导体结构的所述子电流，大于等于流经未被标记为所述已测半导体结构的所述子电流的1000倍。

4.如权利要求1所述的可靠性检测方法，其特征在于，第N次施加的第二电压小于等于，所述总电流第N次按照第一预设条件发生突变时对应的所述第一电压，其中，N大于等于1。

5.如权利要求1所述的可靠性检测方法，其特征在于，第N+1次施加的持续增大的所述第一电压，从所述总电流第N次按照第一预设条件发生突变时对应的所述第一电压开始递增，其中，N大于等于1。

6.如权利要求1所述的可靠性检测方法，其特征在于，对每个所述待检测半导体结构施加所述第二电压的时间小于等于1s。

7.一种可靠性检测装置，其特征在于，用于实施如权利要求1～6任意一项所述的可靠性检测方法，所述可靠性检测装置包括：

供电装置，所述供电装置给并联的多个待检测半导体结构供电，以对所有所述待检测半导体结构同时施加持续增加的第一电压，并可对每个所述待检测半导体结构单独施加固定的第二电压；

电流检测装置，所述电流检测装置在所述供电装置对所有所述待检测半导体结构同时施加持续增大的第一电压时，检测流经所有所述待检测半导体结构的总电流，并在所述供电装置对每个所述待检测半导体结构单独施加固定的第二电压时，检测流经每个所述待检测半导体结构的子电流。

8.如权利要求7所述的可靠性检测装置，其特征在于：还包括多个电控开关，所述电控开关与所述待检测半导体结构一一对应串联。

9.如权利要求8所述的可靠性检测装置，其特征在于：所述电控开关包括：继电器。

10.如权利要求7所述的可靠性检测装置，其特征在于，所述供电装置和所述电流检测装置集成在同一设备中，所述设备包括：SMU或电压电流计。