[发明专利]可靠性检测方法及装置

说明书

本发明提供的一种可靠性检测方法及装置中，由于同时给所有待检测半导体结构同时施加持续增大的第一电压，总电流发生突变时，说明至少一个待检测半导体结构被击穿；之后对每个待检测半导体结构施加固定的第二电压并检测流经每个待检测半导体结构的子电流，并根据该子电流的大小挑出击穿的待检测半导体结构，并对剩下的待检测半导体结构重复进行上述检测直至所有所述待检测半导体结构均被击穿完成所有检测。如此，可只采用一个所述供电设备和一个电流检测设备进行检测，节省了成本且减小了检测设备的体积。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种可靠性检测方法及装置。

背景技术

并行TDDB(Parallel Time Dependent Dielectric Breakdown Test)是一种广泛应用于现有半导体技术领域的可靠性检测方法。相比于传统TDDB检测，并行TDDB检测可以在同一时间检测多个电容结构样品，具有高效快速的优点。

传统的并行TDDB检测，一般是用SMU(Source Measurement Unit)作为检测机台，通过SMU给电容组件长时间施加高电压直到电介质发生击穿从而记录失效时间TBD(Timeto Breakdown)，以此判断样品的品质。

如果需要对多个样品进行检测，则同时需要多个SMU检测机台。但SMU造价昂贵，现有技术中的并行TDDB检测机台相比于单个TDDB检测机台价格要高上很多，且检测样品数也受限于已有机台的SMU数量。这将导致在采用现有技术的并行TDDB检测设备进行检测时，成本高昂且占用大量空间。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可靠性检测方法及装置，以解决现有技术中检测成本高昂，检测结构占用空间大的问题。

为解决上述问题，本发明公开一种可靠性检测方法，包括：

第一步骤：将多个待检测半导体结构并联，并对所有所述待检测半导体结构同时施加持续增大的第一电压，并检测流经所有所述待检测半导体结构的总电流，直至所述总电流按照第一预设条件发生突变；

第二步骤：对每个所述待检测半导体结构单独施加固定的第二电压，并检测流经每个所述待检测半导体结构的子电流，并将满足第二预设条件的所述子电流对应的所述待检测半导体结构标记为已测半导体结构；

剔除所述已测半导体结构，并对剩余的所述待检测半导体结构重复执行上述第一步骤到第二步骤直至所有所述待检测半导体结构均被标记为已测半导体结构。

可选的，所述第一预设条件为：突变后的所述总电流大于等于突变前的所述总电流的1000倍。

可选的，所述第二预设条件为：流经被标记为所述已测半导体结构的所述子电流大于等于流经未被标记为已测半导体结构的所述子电流的1000倍。

可选的，第N次施加的第二电压小于等于，所述总电流第N次按照第一预设条件发生突变时对应的所述第一电压，其中，N大于等于1。

可选的，第N+1次施加的持续增大的所述第一电压，从所述总电流第N次按照第一预设条件发生突变时对应的所述第一电压开始递增，其中，N大于等于1。

可选的，对每个所述待检测半导体结构施加所述第二电压的时间小于等于1s。

可选的，用于实施如上述任意一项所述的可靠性检测方法，所述可靠性检测装置包括：

供电装置，所述供电装置给并联的多个待检测半导体结构供电，以对所有所述待检测半导体结构同时施加持续增加的第一电压，并可对每个所述待检测半导体结构单独施加固定的第二电压；