[发明专利]适应性强的X射线分析装置

权利要求书

1.一种X射线分析装置，所述装置用于通过测量X射线衍射和/或X射线荧光来执行多个X射线分析应用以分析样品，所述装置包括：

X射线源，所述X射线源用于用X射线照射所述样品，所述X射线源包括：

固体阳极；和

阴极，所述阴极用于发射电子束；

聚焦装置，所述聚焦装置用于将所述电子束聚焦到所述阳极上；和

控制器，所述控制器被配置为接收X射线分析应用信息，并基于所述X射线分析应用信息控制所述X射线分析装置选择性地在第一X射线分析模式或第二X射线分析模式下操作，其中：

在所述第一X射线分析模式下，所述X射线源被控制以第一操作功率、第一操作电压操作，并具有小于100μm的有效焦斑大小；并且

在所述第二X射线分析模式下，所述X射线源被控制以第二操作功率、第二操作电压操作，其中所述第二操作功率大于所述第一操作功率，并且所述有效焦斑的面积大于所述第一X射线分析模式下的所述有效焦斑的面积。

2.根据权利要求1所述的X射线分析装置，其中，在所述第一X射线分析模式下，所述X射线源具有小于55μm的有效焦斑大小，并且在所述第二X射线分析模式下，所述有效焦斑大小大于60μm。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的X射线分析装置，还包括第一可互换X射线光学元件，所述第一可互换X射线光学元件被布置成接收来自所述X射线源的X射线。

4.根据权利要求3所述的X射线分析装置，其中，所述控制器被配置为接收识别所述第一可互换X射线光学元件的信息，并且其中，所述控制器被配置为基于识别所述第一可互换X射线光学元件的所述信息在所述第一X射线分析模式下或所述第二X射线分析模式下操作所述X射线分析装置。

5.根据前述任一权利要求所述的X射线分析装置，其中，所述有效焦斑在所述第一X射线分析模式和所述第二X射线分析模式两者下都具有大于2.0的纵横比，并且所述控制器被配置成接收样品信息并基于所述样品信息在所述第一X射线分析模式或所述第二X射线分析模式下操作所述X射线分析装置。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的X射线分析装置，其中，在所述第一X射线分析模式下，所述有效焦斑大小小于40μm，所述有效焦斑的纵横比小于1.5，并且所述第一操作功率小于50W。

7.根据权利要求1-4或权利要求6中任一项所述的X射线分析装置，其中，在所述第二X射线分析模式下，所述有效焦斑大小大于所述第一X射线分析模式下的所述有效焦斑大小并且大于60μm，所述有效焦斑的纵横比小于1.5，并且所述第二操作功率大于50W。

8.根据权利要求1-4或6中任一项所述的X射线分析装置，其中，在所述第一X射线分析模式下，所述有效焦斑具有小于1.5的纵横比，并且在所述第二X射线分析模式下，所述焦斑是长形的并且具有大于2.0的纵横比。

9.根据权利要求8所述的X射线分析装置，其中，在所述第二X射线分析模式下，所述有效焦斑大小大于60μm，并且所述第二操作功率大于50W。

10.根据前述任一权利要求所述的X射线分析装置，其中，所述第二X射线分析模式下的所述有效焦斑大小大于100μm，并且所述第二操作功率等于或大于100W。

11.根据前述任一权利要求所述的X射线分析装置，还包括：

用于支撑所述样品的样品台，其中所述样品台布置成使得所述X射线源用沿着入射束路径引导的X射线照射所述样品；和

探测器，所述探测器被布置成接收由所述样品散射或从所述样品发射的X射线。