[发明专利]一种中子产生装置

权利要求书

1.一种中子产生装置，其特征在于，包括加速器、中子发生器、中子射束整形器；

所述加速器的出口对准所述中子发生器，所述中子射束整形器包裹在所述中子发生器的外部；

所述加速器，用于产生质子束流；

所述中子发生器，用于与所述质子束流作用产生第一中子束流，所述第一中子束流的能量大于第一预设阈值；

所述中子射束整形器，用于慢化所述第一中子束流，形成第二中子束流，所述第二中子束流的能量小于第二预设阈值，所述第二中子束流的能量大于第三预设阈值；

所述中子发生器包括旋转底盘和承载体，所述旋转底盘上间隔分布靶材，并与所述承载体连接，所述加速器的引出频率、占空比分布与所述靶材的分布、所述旋转底盘的旋转速率同步，使得所述靶材进入束流线的频率与所述加速器的引出频率及占空比分布一致，所述承载体内嵌有冷却剂循环通路。

2.根据权利要求1所述的中子产生装置，其特征在于，所述中子射束整形器，包括慢化体；

所述慢化体位于所述中子发生器后；

所述慢化体，用于与第一中子束流发生非弹性碰撞，使所述第一中子束流损失能量，形成第二中子束流。

3.根据权利要求2所述的中子产生装置，其特征在于，所述中子射束整形器，还包括屏蔽反射体；

所述屏蔽反射体包裹在所述慢化体和所述中子发生器的外部；

所述屏蔽反射体，用于屏蔽所述慢化体发生非弹性碰撞时散射出的中子以及反射所述慢化体发生非弹性碰撞时散射出的中子。

4.根据权利要求3所述的中子产生装置，其特征在于，所述屏蔽反射体包括屏蔽体和反射体；

所述屏蔽体，用于屏蔽所述慢化体发生非弹性碰撞时散射出的中子；

所述反射体，用于将所述慢化体发生非弹性碰撞时散射出的中子反射回所述慢化体。

5.根据权利要求3所述的中子产生装置，其特征在于，所述中子射束整形器，还包括过滤体；

所述过滤体对准所述慢化体的出口；

所述过滤体，用于过滤所述慢化体在形成第二中子束流时散射出的γ射线、能量小于所述第三预设阈值的中子以及能量大于所述第一预设阈值的中子。

6.根据权利要求5所述的中子产生装置，其特征在于，所述过滤体包括热中子过滤体、快中子过滤体和γ射线过滤体；

所述热中子过滤体，用于过滤所述能量小于所述第三预设阈值的中子；

所述快中子过滤体，用于过滤所述能量大于所述第一预设阈值的中子。

7.根据权利要求4所述的中子产生装置，其特征在于，所述中子射束整形器，还包括准直体；

所述准直体位于所述屏蔽反射体后；

所述准直体，用于产生一定形状轮廓的辐射野。

8.根据权利要求2所述的中子产生装置，其特征在于，所述慢化体的材料为氟化物、重水、聚乙烯以及石墨中的一种或多种。

9.根据权利要求4所述的中子产生装置，其特征在于，所述屏蔽体的材料为含硼聚乙烯。

10.根据权利要求4所述的中子产生装置，其特征在于，所述反射体的材料为聚四氟乙烯、氧化铍、氧化铝以及铅中的一种或多种。