[发明专利]RF LDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种RF LDMOS器件，包括：衬底（11），位于衬底（11）上的外延层（12），位于外延层（12）上的源极结构、漏极结构和栅极（51），所述外延层（12）内形成有沿第一方向间隔设置的源区（23）和漏区（30），所述源极结构与源区（23）、外延层（12）电连接，所述漏极结构与漏区（30）电连接，其特征在于：

所述漏极结构包括沿第二方向依次设置的漏区锗硅接触区（52）、第一金属锗硅化物区（62）、第一接触孔区（74）和第一金属区（81），所述漏区锗硅接触区（52）与所述漏区（30）电连接，且所述漏区锗硅接触区（52）与第一金属锗硅化物区（62）形成欧姆接触；

其中，所述衬底（11）和外延层（12）为第一掺杂类型，所述源区（23）、漏区（30）、漏区锗硅接触区（52）为第二掺杂类型，所述第一方向为源区（23）指向漏区（30）的方向，第二方向与第一方向呈角度设置。

2.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述漏区（30）内形成有第一漂移区（31）和第二漂移区（32），所述第一漂移区（31）沿第二方向设置在第二漂移区（32）上方，所述第一漂移区（31）内还形成有第一离子注入区（22），所述第一离子注入区（22）还与所述第二漂移区（32）电连接，

所述漏区锗硅接触区（52）与所述第一离子注入区（22）电连接，所述第一漂移区（31）、第二漂移区（32）、第一离子注入区（22）为第二掺杂类型。

3.根据权利要求2所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述第一掺杂类型为P型掺杂，第二掺杂类型为N型掺杂。

4.根据权利要求2所述的RF LDMOS器件，其特征在于：在第一方向上，所述第一漂移区（31）的长度大于第二漂移区（32）的长度。

5.根据权利要求4所述的RF LDMOS器件，其特征在于：在第一方向上，所述第一漂移区（31）的长度为2~3um，所述第二漂移区（32）的长度为0.4~1um。

6.根据权利要求1或2所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述漏区锗硅接触区（52）的材质包括N型掺杂的多晶锗硅，所述第一金属锗硅化物区（62）是由漏区锗硅接触区（52）的部分多晶锗硅以及形成在部分漏区锗硅接触区（52）上的金属经退火后反应形成的。

7.根据权利要求6所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述金属的材质包括钛、镍、钴中的任意一种或两种以上的组合，所述金属的厚度为10A-500A。

8.根据权利要求6所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述退火的温度为500-1000℃。

9.根据权利要求6所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述漏区锗硅接触区（52）的沿第二方向上的厚度为200-800nm。

10.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述外延层（12）内还形成有体区（33），所述源区（23）形成在所述体区（33）内，所述栅极（51）的部分沿第二方向对应设置在所述体区（33）上方，所述体区（33）内与栅极（51）对应的区域还形成有沟道区，所述源区（23）和漏区（30）经所述沟道区连接，其中，所述体区（33）为第一掺杂类型，所述沟道区为第二掺杂类型。

11.根据权利要求1所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述栅极（51）与外延层（12）之间还设置有栅氧化层。

12.根据权利要求1或10所述的RF LDMOS器件，其特征在于：所述源区（23）内还形成有第二离子注入区（24）和第二金属锗硅化物区（61），所述第二金属锗硅化物区（61）沿第二方向设置在所述第二离子注入区（24）上，且所述第二金属锗硅化物区（61）与所述源极结构电连接，其中，所述第二离子注入区（24）为第一掺杂类型。