[发明专利]RF LDMOS器件及其制作方法

说明书

本发明公开了一种RF LDMOS器件及其制作方法。所述RF LDMOS器件包括衬底，位于衬底上的外延层，位于外延层上的源极结构、漏极结构和栅极，所述外延层内形成有沿第一方向间隔设置的源区和漏区，所述源极结构与源区、外延层电连接，所述漏极结构与漏区电连接，所述漏极结构包括沿第二方向依次设置的漏区锗硅接触区、第一金属锗硅化物区、第一接触孔区和第一金属区，所述漏区锗硅接触区与所述漏区电连接，且所述漏区锗硅接触区与第一金属锗硅化物区形成欧姆接触。本发明实施例中提供的一种RF LDMOS器件，能够在降低RF LDMOS的寄生输出电容的同时带来比较少的热过程。

技术领域

本发明特别涉及一种RF LDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。

背景技术

大功率射频功放是5G通信系统中极其关键的核心部件，RF LDMOS（射频横向扩散金属氧化物半导体）由于其低成本，高可靠性，高增益，高线性的特点，被广泛使用在5G基站之中。

为了满足新的5G通信标准，RF LDMOS需要更多在回退的情况下工作。但是在信号回退的情况下不可避免的会造成效率的下降。为了提高效率，不可避免的需要降低导通角来提高效率，与此同时牺牲了射频功放的线性度。总体而言，提升RFLDMOS射频功放的性能主要是在做效率和线性度的平衡。

在器件端来看，功率损耗主要来自输出的损耗，而输出损耗又主要分串联损耗和并联损耗。串联损耗主要来自于导通电阻，导通电阻主要来自源端电阻，沟道电阻以及漏端电阻，其中漏端电阻占主要部分。并联损耗主要来自输出阻抗。输出阻抗主要来自源漏电的电容Cds。由此可以看出漏端的结构在射频功放工作过程中起了非常重要的作用。

传统的漏端接触技术会用一个高掺杂的n性离子注入来形成漏接触区域，这样做受到了光阻厚度以及光刻精度的限制，难以做小，因此漏级silicide面积也无法做小，造成性能不能进一步提升。除了传统技术之外，也有使用多晶硅漏级接触的工艺，但是由于多晶硅生长过程和退火会带来额外的热过程，从而影响到器件的各项性能。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种RF LDMOS器件及其制作方法，从而克服现有技术中的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种RF LDMOS器件，包括：衬底，位于衬底上的外延层，位于外延层上的源极结构、漏极结构和栅极，所述外延层内形成有沿第一方向间隔设置的源区和漏区，所述源极结构与源区、外延层电连接，所述漏极结构与漏区电连接，

所述漏极结构包括沿第二方向依次设置的漏区锗硅接触区、第一金属锗硅化物区、第一接触孔区和第一金属区，所述漏区锗硅接触区与所述漏区电连接，且所述漏区锗硅接触区与第一金属锗硅化物区形成欧姆接触，其中，所述衬底和外延层为第一掺杂类型，所述源区、漏区和漏区锗硅接触区为第二掺杂类型，所述第一方向为源区指向漏区的方向，第二方向与第一方向呈角度设置。

本发明实施例还提供了所述的RF LDMOS器件的制作方法，包括：

在衬底上形成外延层；

在外延层内形成源区和漏区，

以及，制作源极结构、漏极结构和栅极，且使所述源极结构与所述源区、外延层电连接，使所述漏极结构与漏区电连接，其中，所述漏极结构包括沿器件纵向依次设置的漏区锗硅接触区、第一金属锗硅化物区、第一接触孔区和第一金属区，所述漏区锗硅接触区与所述漏区电连接，且所述漏区锗硅接触区与第一金属锗硅化物区形成欧姆接触。