[发明专利]一种单晶炉复投送料系统有效

专利信息
申请号: 202211059656.1 申请日: 2022-09-01
公开(公告)号: CN115142139B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 曹建伟;傅林坚;朱亮;叶钢飞;倪军夫;李玉刚 申请(专利权)人: 浙江求是半导体设备有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00;C30B29/06
代理公司: 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 代理人: 赵杰香
地址: 311100 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 单晶炉复 投送 系统
【权利要求书】:

1.一种单晶炉复投送料系统,所述送料系统包括:

料斗;

上料机构,所述上料机构至少部分和所述料斗连通;

下料机构,所述上料机构至少部分设置在所述料斗和所述下料机构之间;

驱动组件,用于驱动所述上料机构和所述下料机构;

在所述送料系统输送物料的情况下,所述上料机构至少部分和所述下料机构连通;

其特征在于,

所述上料机构包括:

第一槽体;

第一螺旋轴,所述第一螺旋轴至少部分设置在所述第一槽体中;

所述下料结构包括:

第二槽体;

第二螺旋轴,所述第二螺旋轴至少部分设置在所述第二槽体中;

在所述送料系统输送所述物料的情况下,所述第一槽体连通所述第二槽体,所述驱动组件驱动所述第一螺旋轴和所述第二螺旋轴,以使所述物料通过所述第一螺旋轴和所述第二螺旋轴输送至所述单晶炉中;

所述第一螺旋轴上设置有第一叶片,所述第二螺旋轴上设置有第二叶片,所述第一叶片的直径和所述第二叶片的直径中至少之一沿所述物料的运输方向依次减小。

2.根据权利要求1所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述第一叶片的最大直径和所述第一叶片的最小直径的差值大于等于7mm且小于等于13mm,所述第二叶片的最大直径和所述第二叶片的最小直径的差值大于等于7mm且小于等于13mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述第一叶片的最大直径和所述第一叶片的最小直径的差值大于等于9mm且小于等于11mm,所述第二叶片的最大直径和所述第二叶片的最小直径的差值大于等于9mm且小于等于11mm。

4.根据权利要求1所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述第一叶片和所述第一槽体的内壁之间形成有第一输送通道,所述第二叶片和所述第二槽体的内壁之间形成有第二输送通道,所述第一输送通道和所述第二输送通道均用于输送粒径小于等于第一粒径的所述物料,所述第一螺旋轴和所述第二螺旋轴均用于输送粒径小于等于第二粒径的所述物料,其中,所述第一粒径小于所述第二粒径。

5.根据权利要求1或2或4所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,沿所述物料的运输方向,所述第一槽体的长度和所述第二槽体长度的比值大于等于0.5且小于等于1.5。

6.根据权利要求1或2或4所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述下料机构相对所述上料机构包括第一状态和第二状态,当所述下料机构相对所述上料机构处于所述第一状态时,所述第一槽体和所述第二槽体连通,且所述第二槽体处于第一位置;当所述下料机构相对所述上料机构处于所述第二状态时,所述第一槽体和所述第二槽体不连通,且所述第二槽体处于第二位置。

7.根据权利要求6所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述第一槽体设置有沿所述送料系统的上下方向延伸的第三槽体,所述第三槽体和所述第一槽体一体成型或固定连接。

8.根据权利要求7所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,沿所述送料系统的上下方向,所述第一槽体和所述第二槽体之间的距离为第一长度,所述第三槽体沿所述上下方向的长度为第二长度,所述第一长度大于等于所述第二长度;或,所述第三槽体设置为可伸缩结构,当所述第二槽体处于所述第一位置时,所述第三槽体处于第一模式,当所述第二槽体处于所述第二位置时,所述第三槽体处于第二模式。

9.根据权利要求6所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,所述下料机构和所述驱动组件通过可弯曲的连接轴连接;当所述下料机构相对所述上料机构处于所述第一状态时,所述连接轴处于正常状态;当所述下料机构相对所述上料机构处于所述第二状态时,所述连接轴处于弯曲状态。

10.根据权利要求1或2或4所述的一种单晶炉复投送料系统,其特征在于,在所述送料系统输送所述物料的情况下,若所述物料从所述料斗输送至所述第一槽体,所述第一叶片形成有阻碍所述物料运动的第一阻挡机构;若所述物料从所述第一槽体输送至所述第二槽体,所述第二叶片形成有阻碍所述物料运动的第二阻挡机构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江求是半导体设备有限公司,未经浙江求是半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211059656.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top