[发明专利]重布线层、芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种重布线层，其特征在于，所述重布线层包括：绝缘层、第一导电走线结构和第二导电走线结构；

所述绝缘层开设有通孔和沟槽，所述第一导电走线结构贯穿所述绝缘层的通孔，所述第二导电走线结构嵌设在所述绝缘层的沟槽内，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸；

所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构连接，所述第一导电走线结构的宽度大于所述第二导电走线结构的宽度，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸的高度相同。

2.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括：

重布线层，所述重布线层包括绝缘层以及第一导电走线结构和第二导电走线结构，所述绝缘层开设有通孔和沟槽，所述第一导电走线结构贯穿所述绝缘层的通孔，所述第二导电走线结构嵌设在所述绝缘层的沟槽内，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构连接，所述第一导电走线结构的宽度大于所述第二导电走线结构的宽度，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸的高度相同；

位于所述重布线层中所述绝缘层的第一侧的芯片及封装层，所述芯片引脚与所述第二导电走线结构电连接，所述封装层用于包裹封装所述芯片；

位于所述重布线层中所述绝缘层的第二侧的金属导电球，所述金属导电球与所述第一导电走线结构电连接，其中，所述第一侧与所述第二侧相对。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘层的沟槽的深度为所述绝缘层膜层厚度的10％～20％。

4.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

制作重布线层，其中，所述重布线层包括绝缘层以及第一导电走线结构和第二导电走线结构，所述绝缘层开设有通孔和沟槽，所述第一导电走线结构贯穿所述绝缘层的通孔，所述第二导电走线结构嵌设在所述绝缘层的沟槽内，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构连接，所述第一导电走线结构的宽度大于所述第二导电走线结构的宽度，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸的高度相同；

在所述重布线层中所述绝缘层的第一侧放置芯片，使芯片引脚与所述第二导电走线结构电连接；

在所述重布线层中所述绝缘层的第一侧制作用于包裹封装所述芯片的封装层；

在所述重布线层中所述绝缘层的第二侧植入与所述第一导电走线结构电连接的金属导电球，其中，所述第一侧与所述第二侧相对。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述制作一重布线层的步骤包括：

提供一基板层；

在所述基板层上制作一剥离膜层；

在所述剥离膜层远离所述基板层的一侧制作所述绝缘层；

在所述绝缘层上制作所述通孔和所述沟槽；

在所述绝缘层远离所述剥离膜层的一层制作金属层；

在所述通孔位置处的金属层表面生长所述第一导电走线结构，在所述沟槽位置处的金属层表面生长所述第二导电走线结构。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层上制作所述通孔和所述沟槽的步骤，包括：

采用半透明掩膜版对所述绝缘层进行显影曝光，其中，通过半透明掩膜版中的全透光窗口在所述绝缘层上制作所述通孔，通过半透明掩膜版中的半透光窗口在所述绝缘层上制作所述沟槽，所述全透光窗口的尺寸大于所述半透光窗口的尺寸，透过所述半透光窗口的光能量为透过所述全透光窗口的光能力的30％～70％。

7.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述绝缘层上制作所述通孔和所述沟槽的步骤，包括：

采用包括第一窗口的第一掩膜版对所述绝缘层进行显影曝光，在所述绝缘层上制作得到所述通孔；

采用包括第二窗口的第二掩膜版对所述绝缘层进行显影曝光，在所述绝缘层上制作得到所述沟槽。