[发明专利]重布线层、芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法

说明书

本申请实施例提供的重布线层、芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法，涉及封装技术领域。第一导电走线结构贯穿绝缘层的通孔，第二导电走线结构嵌设在绝缘层的沟槽内，即第一导电走线结构从通孔位置处生长而第二导电走线结构从沟槽位置处生长，通过调整第一导电走线结构和第二导电走线结构的生长位置以降低不同宽度的导电走线结构在生长时的高度差异，可以使第一导电走线结构和第二导电走线结构相对于绝缘层的第一侧外凸的高度相同，如此便于在该重布线层的基础上在制作其他重布线层时可以在相对平坦的金属导电结构表面上制作线宽更细的导电走线结构，以提高封装芯片结构的绕线密度和单位面积上引出的芯片引脚的数量，提高封装芯片结构的性能。

技术领域

本申请涉及封装技术领域，具体而言，涉及一种重布线层、芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法。

背景技术

重布线层是芯片封装结构中用于将芯片的电信号引出的重要膜层，为此在重布线层中包括较为复杂的导电走线结构，随着芯片结构的微型化，需要在单位面积上引出的芯片引脚(I/O引脚)变得越来越多，进而需要重布线层中导电走线结构的宽度做的更细，为此如何将重布线层中导电走线结构做的更细成为本领域技术人员急需要解决的技术问题。

发明内容

为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供一种重布线层、芯片封装结构及芯片封装结构的制作方法。

本申请的第一方面，提供一种重布线层，所述重布线层包括：绝缘层以及第一导电走线结构和第二导电走线结构；

所述绝缘层开设有通孔和沟槽，所述第一导电走线结构贯穿所述绝缘层的通孔，所述第二导电走线结构嵌设在所述绝缘层的沟槽内，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸；

所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构连接，所述第一导电走线结构的宽度大于所述第二导电走线结构的宽度，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸的高度相同。

本申请的第二方面，提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构包括：

重布线层，所述重布线层包括绝缘层以及第一导电走线结构和第二导电走线结构，所述绝缘层开设有通孔和沟槽，所述第一导电走线结构贯穿所述绝缘层的通孔，所述第二导电走线结构嵌设在所述绝缘层的沟槽内，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构连接，所述第一导电走线结构的宽度大于所述第二导电走线结构的宽度，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸的高度相同；

位于所述重布线层中所述绝缘层的第一侧的芯片及封装层，所述芯片引脚与所述第二导电走线结构电连接，所述封装层用于包裹封装所述芯片；

位于所述重布线层中所述绝缘层的第二侧的金属导电球，所述金属导电球与所述第一导电走线结构电连接，其中，所述第一侧与所述第二侧相对。

在本申请的一种可能实施例中，所述绝缘层的沟槽的深度为所述绝缘层膜层厚度的10％～20％。

本申请的第三方面，提供一种芯片封装结构的制作方法，所述方法包括：

制作重布线层，其中，所述重布线层包括绝缘层以及第一导电走线结构和第二导电走线结构，所述绝缘层开设有通孔和沟槽，所述第一导电走线结构贯穿所述绝缘层的通孔，所述第二导电走线结构嵌设在所述绝缘层的沟槽内，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构连接，所述第一导电走线结构的宽度大于所述第二导电走线结构的宽度，所述第一导电走线结构和所述第二导电走线结构相对于所述绝缘层的第一侧外凸的高度相同；

在所述重布线层中所述绝缘层的第一侧放置芯片，使芯片引脚与所述第二导电走线结构电连接；