[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202211063062.8 | 申请日: | 2022-09-01 |
公开(公告)号: | CN115472655A | 公开(公告)日: | 2022-12-13 |
发明(设计)人: | 张明;杨杰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 唐秀萍 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,其包括:
阵列基板;
辅助电极层,设于所述阵列基板中;
第一电极层,设于所述阵列基板上,并与所述阵列基板电连接;
像素限定层,设于所述阵列基板上,并覆盖所述第一电极层;
第一凹槽,贯穿所述像素限定层至所述第一电极层的一表面上;
底切结构,设于所述像素限定层和所述阵列基板中,并对应于所述辅助电极层;
发光功能层,设于所述第一凹槽中,并从所述第一凹槽延伸至所述底切结构中;
第二电极层,设于所述发光功能层上,并从所述发光功能层延伸覆盖至所述底切结构中的所述辅助电极层上;
封装层,设于所述第二电极层上,并所述底切结构中的裸露面;
其中,所述底切结构包括:
第二凹槽,贯穿所述像素限定层和部分所述阵列基板至所述辅助电极层的一表面上;
遮挡层,设于所述像素电极层上,并遮挡所述第二凹槽的部分槽口;
所述遮挡层与所述第二凹槽在所述阵列基板上正投影部分重合,且重合部分的宽度为所述第二凹槽深度的三分之一至二分之一。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,具有一显示区以及与所述显示区连接的边框区;
所述阵列基板包括:
衬底结构,覆盖所述显示区和所述边框区;
绝缘结构,设于所述衬底结构上;
薄膜晶体管结构,设于所述绝缘结构中,并位于所述显示区中;
所述辅助电极层与所述薄膜晶体管结构在衬底结构上的正投影不重合;
所述底切结构与所述第一凹槽在所述衬底结构上的正投影不重合。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘结构包括:
第一平坦层,设于所述衬底结构上;
第二平坦层,设于所述第二平坦层远离所述第一平坦层的一表面上,且所述像素限定层设于所述第二平坦层远离所述第一平坦层的一表面上;
所述薄膜晶体管结构包括:
源漏极层,设于所述第一平坦层与所述第二平坦层之间;
所述辅助电极层与所述源漏极层共同设于所述第一平坦层的同一表面上。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,在所述边框区中,所述显示面板还包括:
连接走线,设于所述阵列基板中,并与所述辅助电极层共同设于所述第一平坦层同一表面上;
第三凹槽,贯穿所述像素限定层和所述第二平坦层至所述连接走线的一表面上;
所述第二电极层从所述显示区延伸至所述边框区,并所述第三凹槽中的所述连接走线电连接。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,
所述第二平坦层与所述像素限定层中均包含有机材料;
所述遮挡层中包含无机材料。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮挡层的厚度为0.1微米-10微米。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
支撑柱,设于所述像素限定层与所述第二电极层之间。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
制备阵列基板以及辅助电极层;
在所述阵列基板上制备第一电极层和像素限定层;
在所述像素限定层和所述阵列基板中形成第一凹槽;
在所述像素限定层和所述阵列基板上形成底切结构;
在所述像素限定层和所述阵列基板上形成发光功能层;
在所述发光功能层上形成第二电极层;
其中,在所述像素限定层和所述阵列基板上形成底切结构步骤中包括:
在所述像素限定层和所述阵列基板中形成第二凹槽;加宽所述第二凹槽,使所述遮挡层与所述第二凹槽在所述阵列基板上正投影部分重合,且重合部分的宽度为所述第二凹槽深度的三分之一至二分之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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