[发明专利]太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池

权利要求书

1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：

对硅片的表面进行制绒清洗；

在所述硅片正面的制绒面制备浅结，或，在所述硅片正面的制绒面制备正面隧穿氧化钝化接触结构；

在所述硅片上印刷金属浆料并烧结；

通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，使所述硅片的正面形成具有选择性的发射极。

2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，使所述硅片的正面形成具有选择性的发射极，包括：

通过所述激光增强接触优化技术对所述硅片正面的栅线部分进行激光扫描，同时对所述硅片施加负偏压；

快速冷却，使所述硅片正面的栅线部分形成欧姆接触，使所述硅片的正面形成具有选择性的发射极。

3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片上印刷金属浆料并烧结之前，还包括：

使所述硅片的背面形成抛光面；

对所述硅片的背面制备背面隧穿氧化层及背面掺杂多晶硅结构。

4.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述在所述硅片上印刷金属浆料并烧结之前，还包括：

去除所述硅片正面的绕镀多晶硅层；

在所述硅片的正面制备正面氧化层、正面钝化膜及正面减反射膜；

在所述硅片的背面制备背面钝化层。

5.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述使所述硅片的背面形成抛光面，包括：

采用链式单面刻蚀去除背面硼硅玻璃层及扩散结，使所述硅片的背面形成抛光面。

6.根据权利要求3所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述对所述硅片的背面制备背面隧穿氧化层及背面掺杂多晶硅结构，包括：

在所述硅片的背面依次沉积背面隧穿氧化层及掺杂非晶硅层；

对所述硅片进行退火处理，使所述掺杂非晶硅层形成背面掺杂多晶硅层。

7.一种发射结，其特征在于，包括：

衬底；

正面电极；

掺杂层或正面隧穿氧化钝化接触结构，设置在所述衬底正面的制绒面上；

其中，所述正面电极与所述掺杂层形成欧姆接触，或，所述正面电极穿过所述正面隧穿氧化钝化接触结构与所述衬底形成欧姆接触。

8.根据权利要求7所述的发射结，其特征在于，所述掺杂层的厚度大于0.1微米且小于0.3微米，且所述掺杂层的表面浓度小于1×10¹⁹/cm³；

或，所述正面隧穿氧化钝化接触结构包括正面隧穿氧化层和正面掺杂多晶硅层，所述正面掺杂多晶硅层的厚度大于10纳米且小于50纳米，且所述正面掺杂多晶硅层的表面浓度小于1×10¹⁹/cm³。

9.根据权利要求8所述的发射结，其特征在于，所述衬底为N型硅片，所述掺杂层为磷掺杂层；

或，

所述衬底为P型硅片，所述掺杂层为硼掺杂层。

10.根据权利要求8所述的发射结，其特征在于，所述衬底为N型硅片，所述正面掺杂多晶硅层为硼掺杂多晶硅层；

或，

所述衬底为P型硅片，所述正面掺杂多晶硅层为磷掺杂多晶硅层。

11.一种太阳电池，其特征在于，包括如权利要求7-10任意一项所述的发射结。

12.根据权利要求11所述的太阳电池，其特征在于，还包括：

正面氧化层，设置在所述发射结的正面；

正面钝化膜，设置在所述正面氧化层的正面；

正面减反射膜，设置在所述正面钝化膜的正面；

其中，所述发射结的正面电极依次穿过所述正面减反射膜、所述正面钝化膜、所述正面氧化层与所述发射结的掺杂层接触。

13.根据权利要求11所述的太阳电池，其特征在于，还包括：

背面隧穿氧化层，设置在所述发射结的衬底的背面；

背面掺杂多晶硅层，设置在所述背面隧穿氧化层的背面；

背面钝化层，设置在所述背面掺杂多晶硅层的背面；

背面电极，依次穿过所述背面钝化层与所述背面掺杂多晶硅层接触。