[发明专利]太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池

说明书

本发明涉及光伏技术领域，提供一种太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池，太阳电池的制备方法包括对硅片的表面进行制绒清洗；在硅片正面的制绒面制备浅结，或，在硅片正面的制绒面制备正面隧穿氧化钝化接触结构；在硅片上印刷金属浆料并烧结；通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，使硅片的正面形成具有选择性的发射极。可以有效降低太阳电池表面的少子的复合速度，提高短波段的光谱响应，采用激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，增加金属浆料与硅片的接触面积，使正面金属浆料和硅片形成欧姆接触，有效增加短路电流和开路电压，金属接触部分不需要进行二次掺杂形成重掺杂，可以使用低接触特征的浆料，有效降低成本。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池。

背景技术

目前太阳电池的选择性发射极的制备方法有以下几种，第一种采用高温扩散工艺在硅片正面形成发射极，再通过激光掺杂形成选择性发射极；第二种采用高温扩散工艺形成轻掺杂，然后低温进行二次扩散，将二次扩散作为激光掺杂的硼源或磷源进行掺杂形成选择性发射极；第三种，采用高温扩散工艺形成轻掺杂，对轻掺杂区域进行激光开槽，二次进炉对开槽区域进行扩散形成选择性发射极；第四种，采用高温扩散工艺形成轻掺杂，对轻掺杂区域进行激光开槽，最后对激光开槽区域进行硼浆或磷浆印刷并烘干形成选择性发射极。目前太阳电池的选择性发射极的制备方法的共同点均是采用了高温扩散高温推进方式制备发射结，需要进行多次扩散或印刷硼浆或磷浆形成具有高掺杂浓度的局部接触。

扩散长时间高温会对硅片表面造成损伤形成缺陷，增加了表面复合，导致开路电压降低，从而导致电池效率下降。同时，扩散方阻均匀性不佳，掺杂效率较低，从而降低欧姆接触特性，增加串联电阻，最终降低填充因子和电池效率，影响电池的性能；并且扩散时间长，多次扩散或印刷浆料等工序的加入进一步地降低了产能，提高制作成本。

发明内容

本发明提供一种太阳电池的制备方法、发射结及太阳电池，用以解决现有技术中采用了高温扩散高温推进方式制备发射结，需要进行多次扩散或印刷硼浆或磷浆形成具有高掺杂浓度的局部接触，而对硅片表面造成损伤增加表面复合导致开路电压降低，且掺杂效率较低而降低欧姆接触特性，降低电池效率影响电池的性能；并且扩散时间长，降低了产能，提高制作成本的缺陷。

本发明提供一种太阳电池的制备方法，包括：

对硅片的表面进行制绒清洗；

在所述硅片正面的制绒面制备浅结，或，在所述硅片正面的制绒面制备正面隧穿氧化钝化接触结构；

在所述硅片上印刷金属浆料并烧结；

通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，使所述硅片的正面形成具有选择性的发射极。

根据本发明提供的一种太阳电池的制备方法，所述通过激光增强接触优化技术对正面金属浆料进行处理，使所述硅片的正面形成具有选择性的发射极，包括：

通过所述激光增强接触优化技术对所述硅片正面的栅线部分进行激光扫描，同时对所述硅片施加负偏压；

快速冷却，使所述硅片正面的栅线部分形成欧姆接触，使所述硅片的正面形成具有选择性的发射极。

根据本发明提供的一种太阳电池的制备方法，所述在所述硅片上印刷金属浆料并烧结之前，还包括：

使所述硅片的背面形成抛光面；

对所述硅片的背面制备背面隧穿氧化层及背面掺杂多晶硅结构。

根据本发明提供的一种太阳电池的制备方法，所述在所述硅片上印刷金属浆料并烧结之前，还包括：

去除所述硅片正面的绕镀多晶硅层；

在所述硅片的正面制备正面氧化层、正面钝化膜及正面减反射膜；