[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

衬底，包括有源图案，所述有源图案包括彼此间隔开的第一源/漏区和第二源/漏区；

位线，电连接到所述第一源/漏区并跨过所述有源图案；

存储节点接触部，电连接到所述第二源/漏区；

间隔物结构，在所述位线与所述存储节点接触部之间；

着接焊盘，电连接到所述存储节点接触部；

绝缘图案，在所述间隔物结构上并与所述着接焊盘相邻；以及

衬层，在所述绝缘图案和所述着接焊盘之间，

其中，所述绝缘图案包括：

上绝缘部分；以及

下绝缘部分，在所述上绝缘部分和所述间隔物结构之间，以及

其中，所述下绝缘部分的最大宽度大于所述上绝缘部分的最小宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述下绝缘部分的宽度随着所述下绝缘部分接近所述衬底而增加到最大宽度然后减小。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述上绝缘部分和所述下绝缘部分是单个物体的相应部分，以及

其中，所述绝缘图案的侧表面在所述上绝缘部分和所述下绝缘部分之间的边界附近具有拐点。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述衬层包括：上衬层和下衬层，所述上衬层在所述上绝缘部分的侧表面上，以及所述下衬层在所述下绝缘部分的侧表面上，以及

其中，所述上衬层的最大厚度大于所述下衬层的最大厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中，所述衬层包括：上衬层和下衬层，所述上衬层在所述上绝缘部分的侧表面上，以及所述下衬层在所述下绝缘部分的侧表面上，以及

其中，所述上衬层的最大厚度基本等于所述下衬层的最大厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述间隔物结构包括：

第一间隔物，与所述存储节点接触部相邻；

第二间隔物，与所述位线相邻；以及

第三间隔物，在所述第一间隔物和所述第二间隔物之间。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述间隔物结构包括：

第一间隔物，与所述存储节点接触部相邻；

第二间隔物，与所述位线相邻；以及

气隙区，在所述第一间隔物和所述第二间隔物之间。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述下绝缘部分与所述气隙区的顶端相邻。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中，所述气隙区包括：第一气隙区，与所述下绝缘部分竖直地重叠；以及第二气隙区，不与所述下绝缘部分竖直地重叠。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述下绝缘部分的最大宽度的中心点在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上从所述上绝缘部分的最小宽度的中心点偏移。

11.一种半导体存储器件，包括：

衬底，包括有源图案；

位线，跨过所述有源图案；

存储节点接触部，与所述位线相邻；

间隔物结构，在所述位线与所述存储节点接触部之间；

第一沟槽和第二沟槽，在所述间隔物结构上，所述第二沟槽在所述第一沟槽和所述间隔物结构之间；

着接焊盘，电连接到所述存储节点接触部；

绝缘图案，在所述第一沟槽和所述第二沟槽中；

衬层，包围所述绝缘图案，

其中，所述衬层包括：

上衬层，在所述第一沟槽中；以及

下衬层，在所述第二沟槽中，

其中，所述上衬层的最大厚度大于所述下衬层的最大厚度。