[发明专利]一种提高光刻精度的方法及装置在审

专利信息
申请号: 202211069218.3 申请日: 2022-09-02
公开(公告)号: CN115343917A 公开(公告)日: 2022-11-15
发明(设计)人: 丁伟;土克旭;金利剑 申请(专利权)人: 浙江水晶光电科技股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 程晓
地址: 318000 浙江省台州市椒*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 光刻 精度 方法 装置
【说明书】:

本申请提供一种提高光刻精度的方法及装置,涉及光刻技术领域,通过引入激光切割工艺,利用激光切割工艺的高精度特性实现标准片上标准图形的制作,然后通过标准片上标准图形与光刻掩膜上的光刻图形套刻对准的方式,快速完成产品基片正确放置位置(生产位置)的标定,由此,能够有效降低标定过程中的标定次数和标定时间,继而方便在实际生产时,通过将产品基片放置到标定的生产位置,使得产品基片与光刻掩膜实现高精度的对准,进而提高光刻精度。

技术领域

本申请涉及光刻技术领域,具体而言,涉及一种提高光刻精度的方法及装置。

背景技术

在IC电路制造过程中,一个完整的芯片一般都要经过十几到二十几次的光刻,因此在整个芯片自动化光刻中光刻图形和产品基片的相对位置精度就显得十分重要。

目前光刻机的机械臂将产品基片从卡塞搬到预对准平台上,识别产品基片上的光刻特征,同时寻找到产品基片中心后,再自动搬运到光刻平台上,但其X、Y轴运动精度在最佳状态下也只能达到50um以内水平,且存在角度旋转偏移的情况,如此,则会造成产品基片相对于光刻掩膜存在X、Y方向的偏移和大的角度旋转,从而使得光刻精度较差。

发明内容

本申请的目的在于,针对上述现有技术中的不足,提供一种提高光刻精度的方法及装置,以解决现有光刻精度较差的问题。

为实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:

本申请实施例的一方面,提供一种提高光刻精度的方法,方法包括:

获取光刻掩膜的光刻图形;

根据光刻图形在标准片上通过激光切割制作标准图形;

将标准片上的标准图形与光刻掩膜上的光刻图形套刻校准以得出标准片的位置信息;

根据标准片的位置信息确定产品基片的生产位置。

可选的,在将标准片上的标准图形与光刻掩膜上的光刻图形套刻校准以得出标准片的位置信息之前,方法还包括:

获取产品基片的边缘轮廓;

根据产品基片的边缘轮廓,对标准片的边缘轮廓进行激光切割以调整标准片的边缘轮廓与产品基片的边缘轮廓重合。

可选的,当标准片的边缘轮廓与产品基片的边缘轮廓重合时,标准片的边缘轮廓具有光刻识别特征。

可选的,光刻识别特征为直线边或内凹边。

可选的,根据光刻图形在标准片上通过激光切割制作标准图形包括:

根据光刻图形在标准片上通过激光切割形成切缝,由切缝组成标准图形,切缝的深度小于标准片的厚度。

可选的,将标准片上的标准图形与光刻掩膜上的光刻图形套刻校准包括:

将标准片上的标准图形与光刻掩膜上的光刻图形沿竖向进行对准,以使标准图形与光刻图形沿竖向重合。

可选的,标准图形位于标准片的中心线。

可选的,标准片上具有多个标准图形。

可选的,多个标准图形间隔分布于标准片的表面。

本申请实施例的另一方面,提供一种提高光刻精度的装置,包括:

激光切割模块,用于获取光刻掩膜的光刻图形,并根据光刻图形在标准片上通过激光切割制作标准图形;

光刻模块,用于将标准片上的标准图形与光刻掩膜上的光刻图形套刻校准以得出标准片的位置信息,并根据标准片的位置信息确定产品基片的生产位置。

本申请的有益效果包括:

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