[发明专利]一种数字延迟锁相环电路在审
申请号: | 202211070144.5 | 申请日: | 2022-09-02 |
公开(公告)号: | CN115938426A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 徐映嵩;贾舒方;吴晨烨;宋晓亮;陈灿灿 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | G11C11/4076 | 分类号: | G11C11/4076;G11C11/417;G11C7/22;H03L7/081;H03L7/18 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数字 延迟 锁相环 电路 | ||
1.一种数字延迟锁相环电路,其特征在于,包括:
波形调制模块,对输入的CLK_IN时钟信号进行波形调制,便于后一级电路的运算;
延迟链,对于输入CLK_IN时钟信号进行延迟的作用;
波形调制及相位调整模块,将所述延迟链输出的波形进行调制,以及将CLK_DLL信号增加一个延迟时间△FB后得到CLK_FB信号;
相位比较器,将CLK_FB信号和输入的CLK_IN时钟信号进行比较,确认两者的相位差异,产生状态字FLAG1和FLAG2;
移位控制器,受状态字FLAG1和FLAG2的控制,实现对所述延迟链的调节。
2.如权利要求1所述的数字延迟锁相环电路,其特征在于,所述相位比较器包括NMOS管N1~N5、PMOS管P1~P4和反相器INV1~INV5;
NMOS管N1的栅端和PMOS管P2的栅端相连,源端连接NMOS管N3的漏端,漏端连接PMOS管P2的漏端;NMOS管N2的栅端和PMOS管P3的栅端相连,源端连接NMOS管N4的漏端,漏端连接PMOS管P3的漏端;
PMOS管P1的漏端和PMOS管P2的漏端相连,栅端连接PMOS管P4的栅端;PMOS管P2的栅端连接PMOS管P3的漏端,漏端连接PMOS管P3的栅端;PMOS管P3的栅端连接PMOS管P1的漏端,漏端连接NMOS管N1的栅端;PMOS管P4的漏端连接PMOS管P3的漏端;PMOS管P1~P4的源端相连;
NMOS管N3的源端和NMOS管N4的源端共同连接至NMOS管N5的漏端,CLK_FB信号同时接入NMOS管N3的栅端和反相器INV3的输入端,NMOS管N4的栅端连接反相器INV3的输出端;
反相器INV1的输入端同时连接PMOS管P3的漏端和PMOS管P4的漏端,输出端为OUT1;反相器INV2的输入端同时连接PMOS管P2的漏端和NMOS管N1的漏端,输出端为OUT2;所述反相器INV1的输出端依次连接有反相器INV4的输出端和反相器INV5的输入端,所述反相器INV2的输出端依次连接有反相器INV4的输入端和反相器INV5的输出端;反相器INV6的输出端同时连接PMOS管P1的栅端和PMOS管P4的栅端,输出端连接反相器INV1和INV2。
3.如权利要求1所述的数字延迟锁相环电路,其特征在于,所述移位控制器包括两个相位比较器、两个与门、一个或非门和一个非门;
两个相位比较器的第二输出端均接入第一个与门,两个相位比较器的第一输出端均接入第二个与门;两个与门的输出端接入或非门,所述或非门的输出端接入非门。
4.如权利要求3所述的数字延迟锁相环电路,其特征在于,第一个相位比较器的第二输出端为状态字FLAG1,第二个相位比较器的第一输出端为状态字FLAG2,当输入的状态字FLAG1为0、FLAG2为1时,延迟链中延迟单元增加,CLK_FB信号波形延迟增加;当输入的状态字FLAG1为1、FLAG2为0时,延迟链中延迟单元减少,CLK_FB信号波形延迟减小。
5.如权利要求1所述的数字延迟锁相环电路,其特征在于,所述延迟单元延迟链由若干个延迟单元构成,每一级延迟单元的FLOW输入都为前一级延迟单元的CLK_OUT输出;每个延迟单元由两个反相器和一个多路选择器级联而成;
所述两个反相器提供延迟,所述多路选择器由选择信号SLCT进行选择是由CLK_IN输入还是由前一级的延迟单元输入FLOW。
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