[发明专利]一种数字延迟锁相环电路在审
申请号: | 202211070144.5 | 申请日: | 2022-09-02 |
公开(公告)号: | CN115938426A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 徐映嵩;贾舒方;吴晨烨;宋晓亮;陈灿灿 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | G11C11/4076 | 分类号: | G11C11/4076;G11C11/417;G11C7/22;H03L7/081;H03L7/18 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数字 延迟 锁相环 电路 | ||
本发明公开一种数字延迟锁相环电路,属于集成电路领域,包括波形调制模块、延迟链、波形调制及相位调整模块、相位比较器和移位控制器。波形调制模块对输入的CLK_IN时钟信号进行波形调制,便于后一级电路的运算;延迟链对于输入CLK_IN时钟信号进行延迟的作用;波形调制及相位调整模块将所述延迟链输出的波形进行调制,以及将CLK_DLL信号增加一个延迟时间△FB后得到CLK_FB信号;相位比较器将CLK_FB信号和输入的CLK_IN时钟信号进行比较,确认两者的相位差异,产生状态字FLAG1和FLAG2;移位控制器,受状态字FLAG1和FLAG2的控制,实现对所述延迟链的调节。
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种数字延迟锁相环电路。
背景技术
随着存储器工作频率的提高,DDR(双倍频速率)型和QDR(4倍频速率)型SRAM(静态随机存储器)内部均使用了DLL(延迟锁定环)电路。
DLL电路在系统中的作用是抵消外部系统时钟的内建延迟时间,特别是当内部存储单元的数据读出到外部数据端口的控制时序时,数据要在特定N(N可为1、1.5、2等)个延迟系统时钟周期时间处建立,DLL电路的相位补偿大小起到了至关重要的作用。在DLL电路的相位补偿中,补偿相位需要与输入端口延迟和输出端口驱动延迟相匹配。
传统的相位补偿实现方法逻辑控制复杂,自适应性差,锁定时间易受到温度和工艺角的影响,导致锁定时间较长。
发明内容
本发明的目的在于提供一种数字延迟锁相环电路,以解决背景技术中的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种数字延迟锁相环电路,包括:
波形调制模块,对输入的CLK_IN时钟信号进行波形调制,便于后一级电路的运算;
延迟链,对于输入CLK_IN时钟信号进行延迟的作用;
波形调制及相位调整模块,将所述延迟链输出的波形进行调制,以及将CLK_DLL信号增加一个延迟时间△FB后得到CLK_FB信号;
相位比较器,将CLK_FB信号和输入的CLK_IN时钟信号进行比较,确认两者的相位差异,产生状态字FLAG1和FLAG2;
移位控制器,受状态字FLAG1和FLAG2的控制,实现对所述延迟链的调节。
在一种实施方式中,所述相位比较器包括NMOS管N1~N5、PMOS管P1~P4和反相器INV1~INV5;
NMOS管N1的栅端和PMOS管P2的栅端相连,源端连接NMOS管N3的漏端,漏端连接PMOS管P2的漏端;NMOS管N2的栅端和PMOS管P3的栅端相连,源端连接NMOS管N4的漏端,漏端连接PMOS管P3的漏端;
PMOS管P1的漏端和PMOS管P2的漏端相连,栅端连接PMOS管P4的栅端;PMOS管P2的栅端连接PMOS管P3的漏端,漏端连接PMOS管P3的栅端;PMOS管P3的栅端连接PMOS管P1的漏端,漏端连接NMOS管N1的栅端;PMOS管P4的漏端连接PMOS管P3的漏端;PMOS管P1~P4的源端相连;
NMOS管N3的源端和NMOS管N4的源端共同连接至NMOS管N5的漏端,CLK_FB信号同时接入NMOS管N3的栅端和反相器INV3的输入端,NMOS管N4的栅端连接反相器INV3的输出端;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所,未经中国电子科技集团公司第五十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211070144.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于分类的多-多面体机器
- 下一篇:一种地图创建方法及装置