[发明专利]光掩模版的生产管理系统、供应链管理方法以及电子设备

说明书

本发明提供一种光掩模版的生产管理系统、供应链管理方法以及电子设备，光掩模版的生产管理系统包括：进料管理单元，将石英衬底参数信息与衬底标准值进行对比，得到第一检测结果；掩模基版管理单元，包括与各层薄膜一一对应的薄膜检测模块，薄膜检测模块用于获得薄膜参数信息，并将薄膜参数信息与薄膜标准参数值进行对比，得到第二检测结果；光掩模版管理单元，用于获得刻蚀工艺参数，并将刻蚀工艺参数与刻蚀工艺标准值进行对比，得到第三检测结果；决策单元，根据第一检测结果、第二检测结果以及第三检测结果决定是否停机检修。本发明的生产管理系统、管理方法以及电子设备，具有较高的可靠性和稳定性，能够满足光掩模版的生产需求。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及光掩模版的生产管理系统、供应链管理方法以及电子设备。

背景技术

光刻机是制造芯片的核心装备，它采用类似照片冲印的技术，把掩模版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。随着芯片集成度的不断提高，光刻机所使用的光线从最初的可见光g线(436nm)、紫外光i线(365nm)，逐渐发展到深紫外光(248nmKrF和193nmArF)。193nm的浸没式深紫外光刻在80nm间距时达到了极限，从22nm/20nm开始，芯片制造商开始配合使用各种多重图案化技术，导致生产周期和成本增加，并且在7nm的节点处达到极限。极紫外光的工作波长为11nm～14nm，能满足13nm～16nm的生产需求，而当分辨率到5nm节点时，则必须使用极紫外光刻技术。目前，7nm以下工艺的极紫外光刻机由荷兰公司ASML垄断，intel、三星、台积电相继引进7nm极紫外光刻技术。

光掩模版是光刻机的关键部件，作为芯片图案的母版，对精度、可靠度和生产连续性提出了较高的要求。由于几乎所有材料对极紫外光具有强吸收性和接近1的折射率，极紫外光刻机的光掩模版需要采用反射式结构。极紫外光掩模版的制造是芯片制造产业链中的关键环节，导致极紫外光掩模版的生产管理过程相比传统产业更为复杂。

美国专利文献US#11080652公开了一种供应链管理方法和系统(“Method andsystem for supply chain management”)，主要通过监控供货商的库存量、实时产品信息、周转率，生成订货单、评分，从而优化物流时间和成本。该方法仅适用于传统产业，并不适用于芯片制造业，特别是对供应链的可靠度和稳定性有较高要求的掩膜板制造业。

美国专利文献US#11216761公开了一种供应链优化系统和方法(System andmethod for supply chain optimization)，主要通过软件建立动态的优化模型和实时的用户接口，该方法仍然难以满足掩膜板制造业等产业对高度可靠度和稳定性的要求。

总之，现有的管理系统主要着眼于降低生产成本和提高效率，难以满足对光掩模版的可靠性、稳定性和耐久性的要求，亟需一种针对光掩模版的生产管理系统。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩模版的生产管理系统，具有较高的可靠性和稳定性，能够满足光掩模版的生产需求。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩模版的生产管理系统，用于光掩模版的生产管理，所述光掩模版的生产管理系统包括：

进料管理单元，用于获得石英衬底参数信息，并将石英衬底参数信息与衬底标准值进行对比，得到第一检测结果；

掩模基版管理单元，所述掩模基版通过在所述石英衬底上沉积多层薄膜得到，所述掩模基版管理单元包括与各层薄膜一一对应的薄膜检测模块，所述薄膜检测模块用于获得薄膜参数信息，并将薄膜参数信息与薄膜标准参数值进行对比，得到第二检测结果；

光掩模版管理单元，所述光掩模版由所述掩模基版经过光刻工艺、刻蚀工艺处理得到，所述光掩模版管理单元用于获得光刻工艺、刻蚀工艺参数，并将光刻工艺参数与光刻工艺标准值、刻蚀工艺参数与刻蚀工艺标准值分别进行对比，得到第三检测结果；