[发明专利]带隙基准的滞回过温检测电路及电子设备

说明书

本发明涉及一种带隙基准的滞回过温检测电路及电子设备，包括带隙基准电压电路、基准电压修调电路、比较电路以及反馈电路；通过对比结电压和修调电压，结电压大于修调电压时输出高电平逻辑信号，当结电压小于修调电压时输出低电平逻辑信号同时不断调节输出的修调电压；最后基于低电平逻辑信号输出控制断开的信号；本发明提出一种基于带隙基准的滞回过温检测电路，利用带隙基准电压电路提供与温度无关的结电压和带隙基准电压，基准电压修调电路对带隙基准电压使用电阻串进行分压和选择，调整输入比较电路的VREF电压值；并采用控制信号反馈控制MOS管，实现升温和降温过程中VREF电压值的不同，实现滞回功能。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种带隙基准的滞回过温检测电路及电子设备。

背景技术

芯片内部的集成电路含有大量的晶体管等结构，在工作状态下会产生一定的热量,当温度过高时会对其性能造成影响,甚至损坏芯片,因此一款完整的芯片结构，一般需要包含过温保护电路(OTP)。当电路工作温度过高时，过温保护电路会通过关断模式对电路进行关断，当温度降低到一定程度时，过温保护电路会自行开启电路，使得电路恢复正常。当开启电路的温度和关断电路的温度是同一个温度时，电路极有可能出现热振荡的现象，为了避免出现该类情况以及更好地保护芯片，过温保护电路应该有迟滞效应，即关断电路的温度点和使得电路重新恢复工作的温度点之间应该有一定的间隔。

在电源类芯片设计中，温度测量方式的选择、控制环路的设计以及基准电压的输入对过温保护电路的性能至关重要，直接影响其稳定性和精确性。

相关技术中，传统的过温保护电路一般采用比较VREF和VINN(运放负输入端)电压大小从而控制电路导通与关断。三极管Q的VBE为负温度系数，随着温度的上升，VBE下降，基准电压VREF具有零温度系数，保持不变。设在常温下VREF＜VINN，比较器输出高电平；当温度升高到某一点时VREF＞VINN，比较器输出低电平，发出关断信号，达到保护芯片的目的。同时采用具有迟滞特性的比较器，解决了由热振荡产生的危害。

传统结构中，具有迟滞特性的比较器滞回值一般是固定的，在电路参数确定下，很难调整滞回电压范围；此外，针对过温温度点的设计，在结构和电路确定后，很难进行修改，往往受到工艺参数和电源电压的影响。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种带隙基准的滞回过温检测电路，以解决现有技术中在电路参数确定下，很难调整滞回电压范围的问题。

为实现以上目的，本发明采用如下技术方案：一种带隙基准的滞回过温检测电路，包括：带隙基准电压电路、基准电压修调电路、比较电路以及反馈电路；

所述带隙基准电压电路用于生成与温度无关的结电压和带隙基准电压；

所述基准电压修调电路用于对所述带隙基准电压进行修调，输出修调电压；

所述比较电路的正相输入端接收所述结电压，所述比较电路的负相输入端接收所述修调电压，所述比较电路用于对比所述结电压和修调电压，所述结电压大于所述修调电压时输出高电平逻辑信号，当所述结电压小于所述修调电压时输出低电平逻辑信号；

所述基准电压修调电路还用于接收所述比较电路输出的电压反馈信号，根据所述电压反馈信号调节输出的修调电压；

所述反馈电路基于所述低电平逻辑信号输出控制断开的信号。

进一步的，所述基准电压修调电路，包括：

滞回晶体管、分压单元以及多路选择器，所述滞回晶体管的控制端连接所述比较电路，所述滞回晶体管的漏极连接分压单元；所述分压单元一端连接带隙基准电压电路，一端连接多路选择器，所述多路选择器用于输出修调电压；

所述滞回晶体管的源极接地、分压单元的另一端均接地。