[发明专利]检查装置、剥离装置以及学习完毕模型的生成方法

说明书

本发明提供检查装置、剥离装置以及学习完毕模型的生成方法，能够检测在锭或晶片中产生的裂纹。检查装置对具有研磨面的锭进行检查，该检查装置包含：保持工作台，其使锭的研磨面露出而进行保持；光源，其以规定的入射角向保持工作台所保持的锭的研磨面照射光；拍摄单元，其对由锭的研磨面反射的反射光进行会聚而进行拍摄，形成强调了由于在锭的内部伸长的裂纹而在研磨面产生的凹凸的拍摄图像；以及控制单元，其具有判定部，该判定部将所形成的该拍摄图像与预先设定的条件进行比较来判定锭的状态。

技术领域

本发明涉及使用学习完毕模型来检查在锭中是否产生了裂纹的检查装置，该学习完毕模型根据从反射光得到的图像生成形成于锭的裂纹。

背景技术

半导体器件是通过在从半导体锭制造出的晶片上形成多个器件，将晶片分割成各个器件芯片而制造的。例如，对于由硅构成的晶片，利用线锯等从硅锭切出晶片，进行研磨而形成器件，但由SiC构成的晶片是非常硬的材料，因此与硅相比，利用线锯从锭切出需要花费相当长的加工时间。

因此，提出了所谓的KABRA(注册商标)加工，在KABRA加工中，向SiC锭照射激光光线而在内部由改质层和从改质层延伸的裂纹形成剥离层，从剥离层剥离晶片(例如，参照专利文献1)。在通过KABRA加工剥离了晶片的锭中，对在剥离后残留的表面的改质层进行磨削和研磨，再次向表面照射激光光线而在内部形成剥离层，从而剥离下一个晶片。通过这样的加工方法，能够在短时间内从SiC锭切出晶片。

专利文献1：日本特开2020-188117号公报

但是，在剥离后的半导体锭和剥离出的晶片中偶尔产生裂纹，有可能成为不适合形成器件的不良晶片的产生原因。因此，操作者目视确认激光光线照射前的半导体锭和剥离后的每一张晶片，但需要劳力和成本。

还研究了从对半导体锭、晶片进行拍摄而得的图像检测裂纹的技术，但对不在晶片的表面露出的内部的裂纹进行拍摄需要特殊的照相机，而且难以区分所产生的不良裂纹与残留于晶片的改质层。特别是，裂纹的形状缺乏规则性，在对根据图像计算出的数值设置阈值来进行判定的方法中，难以判定裂纹。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供能够检测在半导体锭中产生的裂纹的检查装置、剥离装置以及学习完毕模型的生成方法。

根据本发明的一个方面，提供一种检查装置，其对半导体锭进行检查，该半导体锭具有一个面和另一个面，该一个面是被研磨的研磨面，其中，该检查装置具有：保持工作台，其使该半导体锭的该研磨面露出而进行保持；光源，其以规定的入射角向保持工作台所保持的该半导体锭的该研磨面照射光；拍摄单元，其对由该半导体锭的该研磨面反射的反射光进行会聚而进行拍摄，形成强调了由于在该半导体锭的内部伸长的裂纹而在该研磨面产生的凹凸的拍摄图像；以及判定部，其将所形成的该拍摄图像与预先设定的条件进行比较，判定该半导体锭的状态，该判定部具有处理器和存储器，该判定部具有学习完毕模型，该学习完毕模型通过机器学习而构成为在被输入该拍摄单元所取得的该拍摄图像时，输出表示在该半导体锭的内部是否形成有该裂纹的判定结果。

优选的是，该学习完毕模型利用级联分类器，该级联分类器通过由包含该裂纹的该拍摄图像和没有该裂纹的该拍摄图像构成的样本图像学习了该裂纹的图像。

优选的是，该学习完毕模型是包含输入该拍摄图像的输入层和输出该判定结果的输出层的神经网络。