[发明专利]一种分子量窄分布且高透光性PHS树脂及其合成方法与应用

权利要求书

1.一种PHS树脂，包含式(I)所示的结构通式：

式中：

m、n、p、q分别表示重复单元A、重复单元B、重复单元C、重复单元D的聚合度，其中m≥1，n≥1，p≥0且p/(m+n+p+q)≤20％，q≥0；

R₁表示H、C1-C3的烷基、C1-C3的烷氧基或C3-C10的环烷基；

R₃表示甲基、乙基、叔丁基、

k表示取代基R₁的个数，为0～5之间的数。

2.根据权利要求1所述的PHS树脂，其特征在于：式(Ⅰ)中，m：(n+p+q)的比值≥1/4。

3.根据权利要求1或2所述的PHS树脂，其特征在于：所述PHS树脂的重均分子量在1000-100000之间，PDI≤1.2。

4.权利要求1-3任一所述PHS树脂的合成方法，包括如下步骤：

先以单体A单体B单体C和/或单体D为原料进行阴离子共聚反应，再对R₂取代基进行脱保护反应，得到权利要求1-3中任一所述的PHS树脂；

R₁、R₃、k的定义与式(I)中相同；

R₂表示甲基、乙基、叔丁基、丙基、异丙基、乙酰氧基和丙酰氧基中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的合成方法，其特征在于：所述阴离子共聚反应在氮气循环的环境下进行。

6.根据权利要求4所述的合成方法，其特征在于：所述阴离子共聚反应的温度为-75-80℃。

7.根据权利要求4所述的合成方法，其特征在于：所述阴离子共聚反应采用的引发剂为丙基锂、正丁基锂、仲丁基锂、叔丁基锂、氯化锂、萘钠、金属钠和金属钾中的一种或多种。

8.根据权利要求4所述的合成方法，其特征在于：所述阴离子共聚反应采用的溶剂为苯、甲苯、四氢呋喃、乙醚、异丙醚、乙二醚、正丙醚、己烷、环己烷、庚烷、正庚烷、乙酸乙酯、丙二醇甲醚、丙二醇乙醚和丙二醇甲醚醋酸酯中的一种或多种。

9.根据权利要求4所述的合成方法，其特征在于：所述脱保护反应采用的试剂为氢溴酸或盐酸。

10.一种光刻胶，包括成膜树脂；所述成膜树脂包括权利要求1-3任一所述PHS树脂，其光学密度≤0.2/μm。