[发明专利]包含具有减小的栅极诱发漏极泄漏的存储器子字驱动器电路的设备及用于所述电路的方法在审

专利信息
申请号: 202211095151.0 申请日: 2022-09-05
公开(公告)号: CN115831183A 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 朝木健次 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C11/408 分类号: G11C11/408;G11C11/409;G11C11/4094;G11C11/4074;G11C29/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 江泰維
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包含 具有 减小 栅极 诱发 泄漏 存储器 驱动器 电路 设备 用于 方法
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

第一子字线;以及

第二子字线,其通过第一共同晶体管耦合到所述第一子字线;

其中,响应于测试模式信号,将所述第一和第二子字线中的每一者的电压从第三电压升高到第一电压,且将所述第一共同晶体管的栅极电压升高到所述第一与第三电压之间的第二电压。

2.根据权利要求1所述的设备,其中,在存储器存取操作中,将选定子字线的电压从所述第三电压升高到所述第一电压,且将未选定子字线的电压降低到所述第三电压。

3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:

第一和第二子字驱动器,其分别耦合到所述第一和第二子字线;以及

驱动器电路,其耦合到所述第一和第二子字驱动器;

其中,响应于所述测试模式信号,所述驱动器电路将第一活动信号提供到所述第一和第二子字驱动器以使所述第一和第二子字线被驱动到所述第一电压,且所述第一共同晶体管的所述栅极电压被驱动到所述第二电压。

4.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:

第三子字线,其通过第二共同晶体管耦合到断开状态字线电压;以及

第四子字线,其通过第三共同晶体管耦合到所述断开状态字线电压,其中,响应于所述测试模式信号,所述第二和第三共同晶体管被配置成断开。

5.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:

字驱动器,其耦合到多个子字驱动器,所述多个子字驱动器中的每一者被配置成驱动偶数子字线或奇数子字线,所述偶数子字线或奇数子字线各自耦合到多个存储器单元;

驱动器电路块,其包括偶数驱动器电路和奇数驱动器电路,所述偶数驱动器电路耦合到多个偶数子字驱动器,并且所述奇数驱动器电路耦合到多个奇数子字驱动器。

6.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:

测试模式电路,其被配置成提供所述测试模式信号。

7.根据权利要求6所述的设备,其中所述测试模式电路包括备用逻辑。

8.根据权利要求1所述的设备,其中所述第二电压高于接地电压。

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电压等于或高于所述第二电压。

10.一种方法,其包括:

响应于测试信号而进入测试模式;

将第一和第二子字线中的每一者的电压从第三电压升高到第一电压;以及

将耦合在所述第一与第二子字线之间的第一共同晶体管的栅极的电压升高到所述第一与第三电压之间的第二电压。

11.根据权利要求10所述的方法,其中所述进入所述测试模式包括:

激活测试模式开关以将开关信号提供到驱动器电路;

使所述驱动器电路激活子字驱动器;以及

使所述子字驱动器驱动所述第一和第二子字线。

12.根据权利要求10所述的方法,其中所述第二电压高于接地电压。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述第一电压等于或高于所述第二电压。

14.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括:

将分别驱动所述第一和第二子字线的两个p型晶体管的源极的电压升高到所述第一电压。

15.根据权利要求10所述的方法,其中所述第一子字线由串联耦合的第一p型晶体管和第一n型晶体管驱动,且所述第一p型晶体管和所述第一n型晶体管的栅极耦合到第一字线,并且所述第二子字线由串联耦合的第二p型晶体管和第二n型晶体管驱动,且所述第二p型晶体管和所述第二n型晶体管的栅极耦合到第二字线。

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