[发明专利]包含具有减小的栅极诱发漏极泄漏的存储器子字驱动器电路的设备及用于所述电路的方法

说明书

描述了包含具有减小的栅极诱发漏极泄漏的存储器子字驱动器电路的设备及用于所述存储器子字驱动器电路的方法。一种实例设备包含第一子字线和通过第一共同晶体管耦合到所述第一子字线的第二子字线，其中响应于测试模式信号，将所述第一和第二子字线中的每一者的电压升高到第一电压，且将所述第一共同晶体管的栅极电压升高到第二电压。在另一实例设备中，第一和第二子字驱动器分别耦合到所述第一和第二子字线，并且驱动器电路耦合到所述第一和第二子字驱动器。所述驱动器电路输出第一高信号以使所述第一和第二子字线升高到所述第一电压，且所述第一共同晶体管的所述栅极电压升高到所述第二电压。

技术领域

本申请大体上涉及存储器装置，且更具体地说，涉及包含具有减小的栅极诱发漏极泄漏的存储器子字驱动器电路的设备及用于所述存储器子字驱动器电路的方法。

背景技术

例如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器装置包含存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有安置在子字线与位线之间的相交点处的存储器单元。半导体存储器装置可包含阶层结构化的字线(WL)和子字线。字线由相应字驱动器驱动并定位在上部阶层处，且由行地址的第一部分选择。子字线由相应子字驱动器驱动并定位在下部阶层处，且基于对应字线和由行地址的第二部分选择的FX驱动器线(FX)来选择。

由于在半导体制造中阵列存取装置按比例缩小，与半导体衬底上制造的亚微米级装置相关的泄漏电流(例如，栅极诱发漏极泄漏(GIDL))越来越受到关注。最近，由于存储器测试器的有限电流容量，需要减少半导体存储器装置中的GIDL电流，尤其在压力测试时间期间。例如，减小半导体存储器装置的子字驱动器中的GIDL在减小存储器测试器的最大电流容量方面已成为期望的，从而减小存储器测试器和存储器测试的成本。

发明内容

本公开的一方面提供一种设备，其包括：第一子字线；以及第二子字线，其通过第一共同晶体管耦合到所述第一子字线；其中，响应于测试模式信号，将所述第一和第二子字线中的每一者的电压从第三电压升高到第一电压，且将所述第一共同晶体管的栅极电压升高到所述第一与第三电压之间的第二电压。

本公开的另一方面提供一种方法，其包括：响应于测试信号而进入测试模式；将第一和第二子字线中的每一者的电压从第三电压升高到第一电压；以及将耦合在所述第一与第二子字线之间的第一共同晶体管的栅极的电压升高到所述第一与第三电压之间的第二电压。

本公开的另一方面提供一种半导体存储器装置，其包括：测试模式开关，其被配置成使所述半导体存储器装置响应于测试模式信号而激活压力测试；以及共同晶体管，其被配置成在所述共同晶体管的栅极的第一电压高于所述共同晶体管的阈值电压时共享第一子字线和第二子字线的电压；其中在所述压力测试期间，所述第一电压高于接地电平电压，并且所述第一和第二子字线的第二电压高于所述阈值电压。

本公开的另一方面提供一种设备，其包括：第一子字线，其耦合到第一n型晶体管的漏极和第一p型晶体管的漏极；第二子字线，其耦合到第二n型晶体管的漏极和第二p型晶体管的漏极；第一共同晶体管，其被配置成将所述第一子字线提供到断开状态字线电压；以及第二共同晶体管，其被配置成将所述第二子字线提供到所述断开状态字线电压，其中所述第一和第二子字线安置在存储器片块的边缘区域中，其中，在激活和预充电阶段中，将所述第一和第二n型晶体管以及所述第一和第二p型晶体管中的每一者的栅极电压降低到接地电平电压，将所述第一和第二p型晶体管的所述源极的电压升高到第二电压，并且将所述第一和第二共同晶体管的栅极电压从第一电压降低到所述接地电平电压。

附图说明

图1是根据本公开中的实施例的设备的框图。

图2是根据本公开中的实施例的半导体存储器装置的存储器组的配置的图。

图3是根据本公开中的实施例的存储器组的一部分的示意图。

图4是根据本公开中的实施例的存储器配置的框图。

图5是根据本公开中的实施例的FX驱动器块的示意图。