[发明专利]一种横向混合载流子控制器件

权利要求书

1.一种横向混合载流子控制器件，其特征在于，包括主要工作单元、PMOS区、载流子分布区、绝缘区以及衬底区；所述绝缘区设置在衬底区的上方，所述主要工作单元包括第二电极、第三电极、第一绝缘材料、第二电极重掺杂欧姆接触区、第二电极基区、第三电极基区、第一导电类型半导体、隔离区；

所述PMOS区包括第二电极、第四电极、第二绝缘材料、第二导电类型半导体、第四电极重掺杂欧姆接触区、第四电极基区；

所述载流子分布区包括漂移区、缓冲区、第一电极重掺杂欧姆接触区、第一电极；

所述绝缘区上设置有第二电极基区、第三电极基区、漂移区和缓冲区，所述第二电极基区、第三电极基区、漂移区和缓冲区在绝缘区上放沿长度方向依次水平排列；

所述第二电极基区的上方设置有第二电极；所述第二电极基区内设置有第二电极重掺杂欧姆接触区，所述第二电极重掺杂欧姆接触区接触第二电极；

所述第二电极基区和第三电极基区旁连接隔离区，且隔离区沿绝缘区的宽度方向分布，所述第三电极基区与漂移区之间设置有第一导电类型半导体，且第一导电类型半导体连接第三电极基区与隔离区；

所述第二电极贯穿连接第二电极重掺杂欧姆接触区、第二电极基区和隔离区；所述第三电极基区的上方设置有第三电极，且第三电极与第三电极基区之间设置有第一绝缘材料，所述第一绝缘材料接触第二电极重掺杂欧姆接触区；所述绝缘区上方设置有第四电极，所述第四电极与绝缘区之间设置有第二绝缘材料；

所述缓冲区的上方依次叠加设置有第一电极重掺杂欧姆接触区和第一电极，所述第四电极基区内设置有第四电极重掺杂欧姆接触区，且第四电极重掺杂欧姆接触区的上端接触第二电极和第二绝缘材料，所述第四电极基区旁连接有第二导电类型半导体，所述第四电极基区和第二导电类型半导体沿绝缘区的长度方向排列，所述第一导电类型半导体和第二导电类型半导体沿绝缘区的宽度方向排列。

2.根据权利要求1所述的横向混合载流子控制器件，其特征在于，所述第一电极重掺杂欧姆接触区的截面为四分之一圆形结构，所述缓冲区的截面为四分之一圆环形结构，所述第一电极设置在第一电极重掺杂欧姆接触区的上表面。

3.根据权利要求1所述的横向混合载流子控制器件，其特征在于，所述第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第一绝缘材料、第二绝缘材料均为长方体结构，所述第一电极与第二电极、第三电极与第四电极、所述第一绝缘材料与第二绝缘材料的高度相同；

所述第一电极与第二电极的高度大于第一绝缘材料、第二绝缘材料、第三电极以及第四电极的高度；

所述第一电极与第二电极、第一绝缘材料与第三电极、第二绝缘材料与第四电极的宽度相同；

所述第一电极与第二电极的宽度大于第三电极、第四电极的宽度，所述第三电极的宽度大于第四电极的宽度，所述第一绝缘材料与第三电极、所述第二绝缘材料与第四电极的长度相同。

4.根据权利要求1所述的横向混合载流子控制器件，其特征在于，所述第一绝缘材料、第二绝缘材料和绝缘区均为二氧化硅；所述第二电极重掺杂欧姆接触区、第三电极基区、漂移区、缓冲区均为N型掺杂的硅；

所述第二电极基区、第一导电类型半导体、第一电极重掺杂欧姆接触区、衬底区、第四电极重掺杂欧姆接触区、第四电极基区和第二导电类型半导体均为P型掺杂的硅。

5.根据权利要求4所述的横向混合载流子控制器件，其特征在于，所述第一绝缘材料和第二绝缘材料掺杂的二氧化硅形成氧化层结构，将第一绝缘材料和第二绝缘材料上方的第三电极和第四电极与掺杂区域隔离开。

6.根据权利要求1所述的横向混合载流子控制器件，其特征在于，所述绝缘区的长度与衬底区的长度相同，所述绝缘区的宽度与衬底区的宽度相同；所述第二电极基区与第三电极基区、第一导电类型半导体、第二导电类型半导体、第四电极基区、漂移区、缓冲区的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的横向混合载流子控制器件，其特征在于，所述第四电极设置在第四电极基区和第二导电类型半导体的上方，使第四电极覆盖在第四电极基区和第二导电类型半导体上。