[发明专利]一种FP腔用晶体抛光工艺

权利要求书

1.一种FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，采用下摆抛光机进行抛光，所述下摆抛光机包括升降机头和抛光模，所述升降机头上设置有真空管，所述真空管底部设置有可拆卸更换的定位夹盘，所述定位夹盘朝下设置并与真空管贯通连接，所述定位夹盘内还设置有橡胶垫圈；

抛光工艺包括以下步骤：

步骤1)先对晶体镜片进行清洗；

步骤2)找寻与晶体镜片匹配的定位夹盘，并将定位夹盘固定至真空管底部；

步骤3)将晶体镜片托设在定位夹盘内，通过对真空管抽真空，使得晶体镜片被吸附在定位夹盘内并通过橡胶垫圈垫设；

步骤4)通过升降机头将晶体镜片下移至抛光模表面并接触，且在发生压力变化时，真空管内解除真空，随后继续施压并达到抛光设定压力；

步骤5)通过抛光模对晶体镜片进行抛光；

步骤6)抛光结束后，继续对真空管进行抽真空，随后升降机头上移复位，待托设晶体镜片后解除真空，并将晶体镜片翻转一面，跳转至步骤3)继续执行，直至晶体镜片的两个表面均抛光完成，得到抛光成品。

2.如权利要求1所述的FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，所述定位夹盘底部设置有锥形避让面。

3.如权利要求1所述的FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，所述真空管内设置有环形限位凸部，所述环形限位凸部套设在活动柱上，所述活动柱两端均设置有限位板，位于活动柱上端的限位板上设置有硅胶密封圈，位于活动柱下端的限位板上设置有辅助垫圈，所述辅助垫圈用于与晶体镜片中部抵接，所述活动柱表面设置有若干导气孔。

4.如权利要求3所述的FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，当所述辅助垫圈与晶体镜片中部抵接且未发生形变时，所述定位夹盘内空间通过导气孔与真空管贯通。

5.如权利要求4所述的FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，所述真空管还与高压气管连接，所述高压气管提供高压力，并通过高压力挤压活动柱移动，使得辅助垫圈形变并保证硅胶密封圈与限位凸部配合将真空管密封。

6.如权利要求3所述的FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，所述导气孔对应的位于活动柱下端的限位板上设置有抽气孔，所述抽气孔一端开设在辅助垫圈中部位置。

7.如权利要求1所述的FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，所述真空管底部设置有台阶部，所述定位夹盘通过螺纹旋转固定在台阶部上。

8.如权利要求7所述的FP腔用晶体抛光工艺，其特征在于，所述台阶部内设置有密封圈。