[发明专利]成膜装置在审

专利信息
申请号: 202211101105.7 申请日: 2022-09-09
公开(公告)号: CN115874152A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 小野大祐;加茂克尚;青山祐士;藤田笃史;吉村浩司;伊藤昭彦 申请(专利权)人: 芝浦机械电子装置株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/56
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 孙超;黄健
地址: 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置
【权利要求书】:

1.一种成膜装置,其特征在于,包括:

腔室,能够使内部为真空;

成膜部,具有包含成膜材料的靶材,在所述腔室内,通过溅射而使成膜材料堆积于工件上来进行成膜;

隔断构件,与所述靶材空开间隔地配置,形成用于利用所述成膜部进行成膜的成膜室,并将所述腔室内的所述成膜室与外部隔断;以及

抑制部,设置于所述靶材与所述隔断构件之间,并抑制成膜材料附着于所述腔室的内表面。

2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,设置有包围构件,所述包围构件是设置于所述靶材与所述隔断构件之间的板状体,且通过形成使所述靶材露出的开口来包围所述靶材的周围,

所述抑制部是在所述开口的沿着所述靶材的外周的位置厚度增加后的部分。

3.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,所述抑制部是在所述隔断构件中的所述靶材的附近以使所述靶材与所述隔断构件的间隔变窄的方式突出的部分。

4.根据权利要求2或3所述的成膜装置,其特征在于,所述抑制部具有因朝向远离所述靶材的方向渐渐增加厚度而倾斜的倾斜面。

5.根据权利要求4所述的成膜装置,其特征在于,所述倾斜面相对于与所述靶材的表面平行的面的倾斜角是135°~170°。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的成膜装置,其特征在于,所述抑制部的表面具有以曲面或钝角连接的面。

7.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,在所述抑制部形成有槽。

8.根据权利要求2所述的成膜装置,其特征在于,在所述包围构件与所述隔断构件之间的区域中具有导通部,所述导通部将所述包围构件与所述隔断构件电性连接。

9.根据权利要求2或8所述的成膜装置,其特征在于,包括:

膜处理部,设置于所述腔室内,对通过所述成膜部而形成的膜进行处理;以及

搬运部,设置于所述腔室内,在所述成膜部与所述膜处理部之间搬运工件,并且

在所述包围构件与所述隔断构件之间的区域中形成有经屈曲的通气路径。

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