[发明专利]成膜装置在审

专利信息
申请号: 202211101105.7 申请日: 2022-09-09
公开(公告)号: CN115874152A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 小野大祐;加茂克尚;青山祐士;藤田笃史;吉村浩司;伊藤昭彦 申请(专利权)人: 芝浦机械电子装置株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/56
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 孙超;黄健
地址: 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置
【说明书】:

本发明提供一种成膜装置,其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括:腔室(1),能够使内部为真空;成膜部(4a~4d、4f、4g),具有包含成膜材料的靶材(61),在所述腔室内,通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜;隔断构件(9),与靶材(61)空开间隔地配置,形成用于利用成膜部(4a~4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S),并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断;以及抑制部(104),设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间,并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置。

背景技术

在半导体或显示器(display)或者光盘(optical disk)等各种产品的制造工序中,有时要在例如晶片(wafer)或玻璃(glass)基板等工件(work)上形成光学膜等薄膜。薄膜可通过对工件形成金属等的膜的成膜以及对所形成的膜反复进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理而制作。

成膜及膜处理可利用各种方法来进行,作为其一,有使用等离子体的方法。在成膜时,向配置有靶材(target)的真空容器即腔室内导入惰性气体,并施加直流电压。使等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞到靶材,使从靶材撞出的材料堆积于工件上来进行成膜。在膜处理中,向配置有电极的腔室内导入工艺气体(process gas),对电极施加高频电压。使等离子体化的工艺气体的离子碰撞到工件上的膜,由此进行膜处理。

有一种成膜装置(例如,参照专利文献1),其在一个腔室的内部设置有旋转平台(table),并在支撑有靶材的腔室的顶面即旋转平台的上方构成由被称为屏蔽构件的隔断构件隔断所得的多个成膜室、膜处理室,以便能够连续地进行此种成膜与膜处理。在此种成膜装置中,通过将工件保持于旋转平台上来搬运,并使其通过成膜部与膜处理部的正下方,从而可形成光学膜等。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2019-49018号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在如上所述的成膜装置中,形成成膜室的隔断构件被保持为在与支撑有靶材的腔室的顶面之间空开间隙。即,会在靶材与隔断构件之间产生间隙。于是,从靶材飞散来的成膜材料会从所述间隙泄漏而飞散到腔室内的成膜室的外部,并附着于顶面等腔室内表面。于是,由于成膜材料会附着于腔室内表面而生成膜,因此会耗费去除膜的功夫,维护性恶化。因此,要求减低成膜材料附着于腔室内表面而提高维护性。

本发明的实施方式的目的在于提供一种成膜装置,其减低成膜材料附着于腔室内表面而维护性得到提高。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的,本发明的实施方式的成膜装置设置有:腔室,能够使内部为真空;成膜部,具有包含成膜材料的靶材,在所述腔室内,通过溅射而使成膜材料堆积于工件上来进行成膜;隔断构件,与所述靶材空开间隔地配置,形成用于利用所述成膜部进行成膜的成膜室,并将所述腔室内的所述成膜室与外部隔断;以及抑制部,设置于所述靶材与所述隔断构件之间,并抑制成膜材料附着于所述腔室的内表面。

[发明的效果]

通过本发明的实施方式的成膜装置,可减低成膜材料附着于腔室内表面而提高维护性。

附图说明

图1是示意性地表示实施方式的成膜装置的结构的透视平面图。

图2是图1的A-A剖面图。

图3是表示图1的实施方式的隔断构件的顶面侧的立体图。

图4是表示图1的实施方式的包围构件的底面侧的立体图。

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