[发明专利]一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法及封装制品在审
| 申请号： | 202211103954.6 | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN116318026A | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王君;孟腾飞;陈晓阳;于海洋;倪烨;袁燕;张倩;冯志博;段英丽;时鹏程;李湃;徐浩 | 申请（专利权）人： | 北京航天微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/10 | 分类号： | H03H9/10;H03H3/08;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 牟森 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面波 滤波器 气密性 晶圆级 封装 方法 制品 | ||
1.一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.在芯片晶圆表面制备叉指图层，形成SAW芯片晶圆；
S2.在所述SAW芯片晶圆的所述叉指图层表面制作晶圆键合图形，形成芯片晶圆键合层；
S3.在封装晶圆表面开盲孔并进行所述盲孔填充；
S4.在所述封装晶圆表面进行金属平坦化以去掉多余金属；
S5.在所述封装晶圆表面制作晶圆键合图形，形成封装晶圆键合层；
S6.将所述芯片晶圆和所述封装晶圆通过晶圆键合工艺结合为一体；
S7.对键合好的封装晶圆进行减薄抛光，露出所述封装晶圆中的所述盲孔部分形成互联的通孔；
S8.在所述封装晶圆上制作顶部电极并植金球，将所述SAW芯片晶圆的电极引出到所述封装晶圆表面。
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S8后还包括对封装完成的晶圆进行切割，形成单个WLP封装后的产品。
3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S2中，利用光刻、溅射、剥离工艺在所述叉指图层表面通过套刻形成所述芯片晶圆键合层；
所述芯片晶圆键合层包括导出信号的金属柱层和保证气密封的密封圈层。
4.根据权利要求1所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S3中，在所述封装晶圆表面通过激光开孔，得到互连的所述盲孔，且所述盲孔位于对应所述SAW芯片晶圆的所述叉指图层的电极位置处。
5.根据权利要求4所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S3中，所述盲孔开设完成后，对所述盲孔及所述封装晶圆表面进行清洗，在所述封装晶圆表面溅射电镀所需种子层，并通过电镀工艺进行盲孔填充，得到填充金属。
6.根据权利要求5所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S4中，对电镀后的所述封装晶圆表面进行金属平坦化，通过研磨抛光工艺去掉所述封装晶圆表面种子层。
7.根据权利要求1所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S5中，在抛光后的所述封装晶圆表面通过溅射、电镀工艺得到所述封装晶圆键合层。
8.根据权利要求1所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S6中，将所述SAW芯片晶圆和所述封装晶圆通过晶圆键合工艺结合形成晶圆键合连接层。
9.根据权利要求8所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，其特征在于：步骤S8中，在所述封装晶圆表面制作顶部电极，通过互连的所述通孔引出方式将所述叉指图层中的电极引出到所述封装晶圆表面，并制作顶部电极，并在所述顶部电极表面植入金球。
10.一种封装制品，其特征在于：包括如权利要求1至9任一项所述的声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法所制得的封装制品。
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