[发明专利]一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法及封装制品

说明书

本发明涉及一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，包括以下步骤：S1.在芯片晶圆表面制备叉指图层，形成SAW芯片晶圆；S2.在所述SAW芯片晶圆的所述叉指图层表面制作晶圆键合图形，形成芯片晶圆键合层；S3.在封装晶圆表面开盲孔并进行所述盲孔填充；S4.在所述封装晶圆表面进行金属平坦化以去掉多余金属；S5.在所述封装晶圆表面制作晶圆键合图形，形成封装晶圆键合层；S6.将所述芯片晶圆和所述封装晶圆通过晶圆键合工艺结合为一体；S7.对键合好的封装晶圆进行减薄抛光，露出所述封装晶圆中的所述盲孔部分形成互联的通孔。本发明不但能避免芯片表面图形受到损伤，且能保证封装制品的气密性。

技术领域

本发明涉及声表面波滤波器封装技术领域，尤其涉及一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法及封装制品。

背景技术

目前在卫星通信、卫星导航、导引头、相控阵雷达、电子对抗、移动通信等射频电子设备中，为了扩大武器威力、增加探测精度、减小发射费效比，装备系统正在向小型化、集成化方向发展。在数字阵列雷达及相控阵雷达天线阵列的T/R组件上，滤波器用来抑制杂波和干扰，通常一个阵列上需要几千上万只滤波器，同时为保证天线辐射波束的高指向性、小旁瓣的要求，每个T/R组件中心的距离小于半个波长，因而留给滤波器的尺寸越小越好，通常在3mm×3mm以下，因此要求声表面波(SAW)滤波器往小型化和集成化方向发展。

然而，传统的DIP金属封装和SMD陶瓷表面贴装的SAW滤波器已经无法满足武器装备进一步小型化的要求，而SAW裸芯片表面易损伤，铝电极和压电材料无法实现混合集成，难以实现SIP和高密度集成。为了满足多功能SAW芯片集成技术的发展要求，亟需进行下一代超小型SAW器件及其封装技术研究，

因此，本领域技术人员致力于开发一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法及封装制品，本发明不但能避免芯片表面图形受到损伤，且能保证封装制品的气密性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法及封装制品，本发明不但能避免芯片表面图形受到损伤，且能保证封装制品的气密性。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种声表面波滤波器气密性晶圆级封装方法，包括以下步骤：

S1.在芯片晶圆表面制备叉指图层，形成SAW芯片晶圆；

S2.在所述SAW芯片晶圆的所述叉指图层表面制作晶圆键合图形，形成芯片晶圆键合层；

S3.在封装晶圆表面开盲孔并进行所述盲孔填充；

S4.在所述封装晶圆表面进行金属平坦化以去掉多余金属；

S5.在所述封装晶圆表面制作晶圆键合图形，形成封装晶圆键合层；

S6.将所述芯片晶圆和所述封装晶圆通过晶圆键合工艺结合为一体；

S7.对键合好的封装晶圆进行减薄抛光，露出所述封装晶圆中的所述盲孔部分形成互联的通孔；

S8.在所述封装晶圆上制作顶部电极并植金球，将所述SAW芯片晶圆的电极引出到所述封装晶圆表面。

本发明的有益效果是：通过在裸芯片表面键合与SAW基板相同材质的封装晶圆，并形成密封圈，避免芯片表面图形损伤之外，保证了产品的气密性，实现了SAW芯片WLP封装的高可靠性，且进一步减小声表面波滤波器的封装尺寸。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。

进一步，步骤S8后还包括对封装完成的晶圆进行切割，形成单个WLP封装后的产品。

采用上述进一步方案的有益效果是封装完成后将晶圆进行切割，同时得到多个WLP产品，提高生产效率。